Система для формирования тонких плёнок методом атомно-слоевого осаждения Области применения: - МОП-транзисторы с high-k затвором, - Нанопористые структуры, - Поверхностная декапировка поликремния для солнечных элементов - Пассивационные слои для органических светодиодов
Характеристики Максимальный диаметр пластин: до 300 мм (12") Равномерность покрытия по толщине: < 1% Количество источников прекурсоров: до 6 шт Максимальная температура нагрева: 800˚C Тип плазменной обработки: Прямая (direct) и ёмкостно-связанная плазма Напыляемые материалы: оксиды/нитриды/металлы Система управления: Полностью автоматическая с сенсорным экраном