ALE - Установка атомно-слоевого травления

Производство компании Syskey Technology Co., Ltd. (Тайвань)
Система для высокоточного и равномерного травления микро и наноструктур в различных материалах
Преимущества
Передовое решение для атомно-слоевого травления
1. Импульсная система управления плазменным разрядом
Снижение диссоциации материала от воздействия плазмы
2. Производительная система вакуумной откачки
Возможность быстрой смены рабочего газа и снижение концентрации остаточных продуктов
3. Высокая селективность травления различных структур
Получение повторяемых гомо- и гетерогенных структур с шагом до 40 нм
Материалы
Установка атомно-слоевого травления производства компании Syskey предназначена для травления следующих материалов
Полупроводниковые материалы
Арсенид и нитрид галлия,фосфид индия, карбид кремния и др. (GaAs, GaN, InP, SiC и др.)
Органические материалы
Фоторезисты и другие органические материалы, в т.ч. полиамидные пленки
Кремний и диэлектрики
Кремний, поликремний, оксиды и нитриды (Si, Si0₂, Si₃N₄ и др.), включая кварц и стекло
Металлы
Алюминий, золото, никель, хром, вольфрам и др. (Al, Au, Ni, Cr, W и др.)
Характеристики
Опции
Позвоните нам по телефону
+7 495 150 9546
или заполните форму для получения дополнительной информации
и коммерческого предложения
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.