ALE - Установка атомно-слоевого травления

Производство компании Syskey Technology Co., Ltd. (Тайвань)
Система для высокоточного и равномерного травления микро и наноструктур в различных материалах
Что такое атомно слоевое травление (АСТ)?
Атомно слоевое травление (от англ. ALE - Atomic Layer Etching)
Представляет собой циклический процесс воздействия на верхний атомарный слой материала X подложки ускоренными ионами в вакууме. Каждый цикл состоит из двух этапов. Первый этап - напуск активного газа (например, хлора) для минимизации энергии взаимного притяжения атомов материала и формирования на поверхности молекулярного слоя соединения XClx.
Большинство структур требуют направленность для поддержания жестких требований по размерам
Далее происходит быстрая откачка газа и нагрев подложки. Второй этап - направленное воздействие на поверхность разогретого материала тяжёлыми ионами инертного газа (например, аргона) и удаление (травление) верхнего слоя XClx.
ALE даёт гораздо больший контроль над процессом, чем традиционные методы травления
Метод получил наиболее широкое практическое применение в производстве полупроводниковых структур на основе кремния и его соединений. В отличие от классических методов химического и плазмохимического травления, ALE имеет ряд особых преимуществ: скорость, равномерность, а также возможность селективного травления отдельных материалов многослойной гетероструктуры на кремниевой подложке
АСТ в цифрах
20 - 16

Размер структуры в нанометрах
160 - 100

Глубина травления в нанометрах
100 - 40

Шаг травления в нанометрах
±1,5

Равномерность в нанометрах (удаление половины слоя Si при начальной толщине в 87 нм)
12

Скорость травления одного атомного слоя Si в секундах (при энергии ионов Ar в 50 эВ)
0,4

Среднеквадратичная шероховатость в нанометрах (на площадке 1х1 мкм, у RIE процесса - 2,3 нм)
0

Нет краевых эффектов травления за счёт локального воздействия импульсной плазмы
Преимущества АСТ от Syskey Technology
Импульсная система управления плазменным разрядом
Снижение диссоциации материала от воздействия плазмы
Производительная система вакуумной откачки
Возможность быстрой смены рабочего газа и снижение концентрации остаточных продуктов
Высокая селективность травления различных структур
Получение повторяемых гомо- и гетерогенных структур с шагом до 40 нм
Материалы
Технология АСТ применяется для травления следующих материалов
Полупроводниковые материалы
Арсенид и нитрид галлия,фосфид индия, карбид кремния и др. (GaAs, GaN, InP, SiC и др.)
Органические материалы
Фоторезисты и другие органические материалы, в т.ч. полиамидные пленки
Кремний и диэлектрики
Кремний, поликремний, оксиды и нитриды (Si, Si0₂, Si₃N₄ и др.), включая кварц и стекло
Металлы
Алюминий, золото, никель, хром, вольфрам и др. (Al, Au, Ni, Cr, W и др.)
Характеристики
Опции оборудования
Качество
Высоковакуумная откачная система позволяет работать с более широкой номенклатурой материалов и с более высоким качеством получаемой топологии
Производительность
Загрузочный шлюз (как для работы c одной подложкой, так и для загрузки из кассеты в кассету) для автоматизации техпроцесса
Удобство
Манипулятор для автоматического перемещения пластин между основной и загрузочной камерой
Контроль
Соединение с перчаточной камерой при эксплуатации всего оборудования вне чистой зоны
Позвоните нам по телефону
+7 495 150 9546
или заполните форму для получения дополнительной информации
и коммерческого предложения
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.