База знаний о микроэлектронике

Плазменное травление материалов в парах дифторметана (CH₂F₂)

Сквозные кремниевые отверстия (TSV): технологические преимущества, экономика производства и стратегии развития

Исследование возможности контроля роста тонких слоев меди, осажденных магнетронным распылением на постоянном токе

Методы химического осаждения из паровой фазы (CVD — Chemical Vapor Deposition), применяемых в полупроводниковых технологиях и микроэлектромеханических системах (МЭМС)

Карбид кремния для силовых микросхем: изготовление пластин с эпитаксиальным слоем

Диффузионные печи LPCVD: технологические преимущества, экономика производства и стратегии развития

Исследование травления тонкоплёночного ниобата лития в аргоновой плазме методом реактивного ионного травления с индуктивной связью для создания волноводов с гладкими боковыми стенками

Полупроводники в кризисе и дорожные карты во спасение

Будущее сборки микросхем: 2,5D или 3D?

Микроволновый осциллятор на чипе, основанный на оптической гребёнке

Imec устанавливает рекордные показатели работы ВЧ GaN-транзисторов на кремнии для высокоэффективных усилителей мощности 6G

32-битный процессор на одноатомном полупроводнике

Компания Imec начала производство нано-лазеров на основе GaAs в масштабе пластин диаметром 300 мм.

Спреевое нанесение фоторезиста для создания
равномерной пленки в полостях

Легкий старт. Лаборатория органической
электроники и фотовольтаики