Система для плазменного травления кремния, а также оксидных и нитридных пленок
Получить предложение
Материалы
Установка плазменного травления производства компании Syskey Technology предназначена для травления следующих материалов
Полупроводниковые материалы
Арсенид и нитрид галлия,фосфид индия, карбид кремния и др. (GaAs, GaN, InP, SiC и др.)
Органические материалы
Фоторезисты и другие органические материалы, в т.ч. полиамидные пленки
Кремний и диэлектрики
Кремний, поликремний, оксиды и нитриды (Si, Si0₂, Si₃N₄ и др.), включая кварц и стекло
Металлы
Алюминий, золото, никель, хром, вольфрам и др. (Al, Au, Ni, Cr, W и др.)
Характеристики
Максимальный диаметр подложек;до 200 мм
Равномерность покрытия по толщине;не хуже ± 5% от пластины к пластине и ± 3% на пластине (200мм)
Рабочее давление;в диапазоне 10ˉ⁷ Торр
Тип реактора; - стандартный (реактивно-ионное травление - RIE
; - реактор с индукционно-связанной плазмой (ICP-RIE)
Температура подложек;от -20 до 400 ˚C
Система управления;полностью автоматическая с сенсорным экраном
Опции
Высоковакуумная откачная система
Системы OES и RGA
Передаточная камера с шлюзом и роботом-загрузчиком
Ручная система загрузки пластин
Система кассетной загрузки и выгрузки
Позвоните нам по телефону +7 495 150 9546
или заполните форму для получения дополнительной информации и коммерческого предложения
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*). Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.