Травление полупроводников III-V группы (GaAsn, InP, GaN)
Характеристики
Общие характеристики
Размер обрабатываемых подложек;до 300 мм (возможна загрузка кусков пластин)
Превосходное равномерное травления по всей площади;менее ±3%
Нагрев держателя со стабильным температурным контролем;до 300°C
Охлаждение держателя со стабильным температурным контролем;-20°С
ICP-плазма мощностью (с ICP-катушкой Tornado, увеличивающей осаждение при низкой температуре);до 2 кВт
Средний ресурс работы клапанов;> 1 млн циклов открытия/закрытия
Уровень остаточного давления: < 1E–7 Торр
Камера из алюминия с твёрдым анодированным покрытием
Управление температурой камеры за счёт использования чиллера/нагревателя