En Ru
ТТМ на «Микроэлектронике-2026»: свой доклад, своя публикация, своя повестка
С 27 сентября по 3 октября 2026 года в Федеральной территории «Сириус» прошёл Российский форум «Микроэлектроника-2026» — одна из ключевых отраслевых площадок страны. Команда ООО «ТТМ» посетила выставку форума, провела ряд встреч с партнёрами и коллегами, а наш коллега Владимир Иванов выступил с докладом на профильной секции.
Форум «Микроэлектроника-2026» ТТМ отработала иначе, чем годом ранее. В этот раз компания приехала не только смотреть и общаться — у неё была своя профессиональная повестка, своя трибуна и своя публикация.
Форум «Микроэлектроника-2026» ТТМ отработала иначе, чем годом ранее. В этот раз компания приехала не только смотреть и общаться — у неё была своя профессиональная повестка, своя трибуна и своя публикация.
Доклад Владимира Иванова на секции №4
2 октября на секции №4 «Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники» выступил начальник технического отдела ООО «ТТМ» Владимир Иванов. Тема доклада — «Смена парадигмы: почему SiC вытесняет Si в силовой электронике».
Это не обзорная презентация, а разговор о реальном технологическом сдвиге. Карбид кремния сегодня — один из самых обсуждаемых материалов в силовой электронике. Владимир рассказал, почему SiC привлекает разработчиков, как меняется производственный процесс при переходе на него и какие новые требования возникают к компонентам и технологической базе.
В докладе были затронуты ключевые темы: сравнение Si, SiC и GaN, технологические барьеры (интерфейс SiO₂/SiC, надёжность), прорывные разработки (транзистор для 600 °C, 10 кВ SiC IGBT), а также рынок и позиции России. Видео с выступлением — ниже.
2 октября на секции №4 «Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники» выступил начальник технического отдела ООО «ТТМ» Владимир Иванов. Тема доклада — «Смена парадигмы: почему SiC вытесняет Si в силовой электронике».
Это не обзорная презентация, а разговор о реальном технологическом сдвиге. Карбид кремния сегодня — один из самых обсуждаемых материалов в силовой электронике. Владимир рассказал, почему SiC привлекает разработчиков, как меняется производственный процесс при переходе на него и какие новые требования возникают к компонентам и технологической базе.
В докладе были затронуты ключевые темы: сравнение Si, SiC и GaN, технологические барьеры (интерфейс SiO₂/SiC, надёжность), прорывные разработки (транзистор для 600 °C, 10 кВ SiC IGBT), а также рынок и позиции России. Видео с выступлением — ниже.
Статья в НТБ «Электроника» к Форуму
Вторым важным для ТТМ событием стала публикация: к выпуску, приуроченному к форуму, в научно-техническом бюллетене «Электроника» вышла статья наших специалистов. Это возможность говорить с отраслью не только с трибуны, но и на страницах профессионального издания — зафиксировать экспертизу в письменной форме и обсудить её с коллегами уже на площадке.
Вторым важным для ТТМ событием стала публикация: к выпуску, приуроченному к форуму, в научно-техническом бюллетене «Электроника» вышла статья наших специалистов. Это возможность говорить с отраслью не только с трибуны, но и на страницах профессионального издания — зафиксировать экспертизу в письменной форме и обсудить её с коллегами уже на площадке.
Статья на тему - Карбид кремния для силовых микросхем: формирование активной структуры
Выставка и общение
Параллельно команда работала на выставке: смотрели новые разработки и технологические решения, оценивали, какие направления сегодня в фокусе российских производителей и какие решения ТТМ могут быть востребованы в развитии микроэлектронных производств. Много общались — встретились с давними партнёрами, познакомились с новыми коллегами, обсудили текущие задачи производств и перспективы сотрудничества.
Больше кадров с форума — в нашей Фотогалерее.
До встречи на Форуме Микроэлектроники 2027!
Параллельно команда работала на выставке: смотрели новые разработки и технологические решения, оценивали, какие направления сегодня в фокусе российских производителей и какие решения ТТМ могут быть востребованы в развитии микроэлектронных производств. Много общались — встретились с давними партнёрами, познакомились с новыми коллегами, обсудили текущие задачи производств и перспективы сотрудничества.
Больше кадров с форума — в нашей Фотогалерее.
До встречи на Форуме Микроэлектроники 2027!