Меню

RIE - Установка реактивного ионного травление

Производство компании Syskey Technology Co., Ltd. (Тайвань)
  • Максимальный диаметр пластин: до 12" (300 мм)
  • Уровень остаточного давления: < 1E–7 Тор
  • Неравномерность травления: менее ±3% (на пластине 200 мм)
Области применения
Травление Si, SiO2, SiNx.
МЭМС
Травление металла, кремния, фоторезиста
Фундаментальные исследования плазмы
Травление полупроводников III-V группы (GaAsn, InP, GaN)
Характеристики
Преимущества
  1. РРГ с высокой равномерностью подачи и распределения газа
  2. Низкое повреждение, высокая скорость процесса, высокое аспектное соотношение
  3. Оснащение турбомолекулярным насосом
  4. Автоматическая система управления, сенсорный экран
  5. Запись параметров техпроцесса в реальном времени (давление в камере, температура, скорость напыления)
  6. Управление техпроцессом нанесения в реальном времени
  7. Различные уровни доступа к системе (оператор, технолог, инженер-наладчик) с защитой через логин-пароль
  8. Запасной порт для подключения OES, RGA или дополнительного контроля за процессом
  9. Настройка оборудования под требования клиента
Опции
  • 1
    Система автоматической загрузки/выгрузки
    Передаточная камера с роботом-манипулятором, оснащается кассетными станциями или загрузчиками для SMIF и FOUP
  • 2
    Возможность усовершенствования до кластерной системы
    Оснащается транспортировочной камерой с роботом и датчиками положения пластины. Можно будет добавлять процессные камеры. 
  • 3
    Перчаточный бокс
    Герметичный контейнер интегрированный в систему, который предназначен для манипулирования объектами в отдельной контролируемой чистой атмосфере.
  • 4
    Совместимость с Endpoint monitors (OES, лазер)

    Система обнаружения конечных точек для травления ионным пучком с использованием оптической эмиссионной спектроскопии

Позвоните нам по телефону
+7 495 150 9546
или заполните форму для получения дополнительной информации
и коммерческого предложения
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.