Меню
Главная  /  Оборудование  /  Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)

Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)

Автоматическая установка взрывной литографии предназначена для удаления фоторезистивного слоя вместе с нанесённым на него металлом или диэлектриком в процессах "взрывной" литографии (lift-off). Оборудование обеспечивает высокоэффективное удаление лишних слоёв с поверхности подложек с использованием химических растворителей, ультразвуковой или мегазвуковой обработки, а также контролируемой температуры и времени процесса. Система полностью автоматизирована, включает в себя загрузку/выгрузку кассет, обработку в химических ваннах, промывку и сушку. Применяется для формирования топологии приборов с высоким разрешением в оптоэлектронике, ВЧ- и СВЧ-приборах, полупроводниковых структурах
Фотоника и опто­электроника
Органическая электроника
МЭМС
Кремниевая электроника
Силовая электроника
СВЧ

Общие характеристики

Размеры обрабатываемых подложек:
диаметр до 200 мм (8") — возможна адаптация под 2", 3", 4", 6", 8" пластины, а также прямоугольные фрагменты
Материалы подложек:
кремний (Si), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN), сапфир, керамика, стекло
Толщина подложек:
0,3–1,5 мм (допускается коробление до 800 мкм)
Количество обрабатывающих модулей:
- Ванны с органическими растворителями (NMP, DMF, DMSO, ACE, IPA) — до 4 независимых позиций
- Ванны с DIW (деионизированная вода) — 2–4 позиции
- Ванны с ультразвуковой (US) или мегазвуковой (Megasonic) обработкой — до 2 позиций
Диапазон температур обработки:
- Нагрев растворителей: комнатная – 150°C (точность ±1°C)
- Охлаждение DIW: 10–25°C (точность ±0,5°C)
Время выдержки в ванне:
программируемое, 0–9999 сек
Скорость вращения подложки (при центрифужной промывке/сушке):
0–3000 об/мин (регулируемая, шаг 1 об/мин)
Точность скорости вращения:
±1 об/мин
Частота ультразвуковой обработки:
40 кГц (стандарт) или 1 МГц (мегазвук — опция)
Мощность ультразвука:
регулируемая, до 200 Вт на ванну
Система автоматической смены химических реагентов и фильтрации:
- Фильтрация растворителей: 0,1 мкм
- Фильтрация DIW: 0,1 мкм
- Фильтрация N₂: 0,003 мкм
Загрузочный интерфейс: кассетный загрузчик на 25 слотов (стандарт SMIF или FOUP — опция)
Управление: промышленный контроллер (PLC) с сенсорным экраном 10–21"
Хранение рецептов: до 999 рецептов, многоступенчатое программирование
Многоуровневый доступ: оператор, технолог, инженер (защита паролем)
Протоколирование процесса: температура, время, расход, скорость вращения, уровень жидкости, давление
Конструкция: SUS304 / SUS316L нержавеющая сталь, химически стойкие материалы (PFA, PTFE, PVDF, PP)
Встроенная фильтрация воздуха: HEPA/ULPA (класс ISO 1 или лучше)
Безопасность: аварийный стоп, блокировка дверей, датчики уровня жидкости, контроль температуры, защита от перегрева, вытяжная вентиляция
Коммуникационные протоколы: EtherCAT, RS-232, RS-485, опционально SECS/GEM
Чистота рабочей зоны: ISO Class 1 (Class 10)

Опции

Мегазвуковая обработка (1 МГц) для деликатного удаления частиц без повреждения структур
Дополнительные химические ванны (NMP, DMF, DMSO, TMAH и др.)
Система автоматического долива химикатов с поддержанием уровня и концентрации
Охлаждение/нагрев подложкодержателя в процессе обработки
Интеграция с перчаточным боксом (для работы в среде азота или инертного газа)
Загрузочный шлюз (load-lock) для поддержания сухой атмосферы
Автоматическая система замены фильтров с индикацией ресурса
Расширенный диапазон температур (до 200°C) для высокотемпературных растворителей
Увеличенный размер ванн для обработки до 300 мм пластин
Функция сушки пластин горячим N₂ с программируемым профилем
Интерфейсы SECS/GEM, Ethernet для интеграции в автоматизированную линию
Ключевое преимущество СЭМ:
Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве
Позвоните нам +7 (495) 150 95 46
Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.