Главная / Оборудование / Печь для быстрых термических процессов (RTP)

Печь для быстрых термических процессов (RTP)

Оборудование для быстрой термической обработки полупроводниковых пластин, в котором нагрев до высоких температур (обычно 400–1250 °C, в спец. версиях до 1500 °C) осуществляется с высокой скоростью (до 200 °C/с и выше) за счёт мощных галогенных, дуговых или импульсных ламп (включая лазерные системы).

Получить предложение

Процесс занимает от нескольких секунд до минут, что минимизирует нежелательную диффузию легирующих примесей и паразитное тепловое воздействие на тонкие структуры. Конструктивно выполнена в виде однопластинной реакционной камеры с «холодными» (охлаждаемыми) стенками из нержавеющей стали. Обеспечивает высокую воспроизводимость, чистоту и равномерность обработки. Используется в промышленном производстве и R&D для активации примесей, термического окисления, нитрирования, силицирования, отжига, сплавления контактов, рефлоу диэлектриков и других высокотемпературных процессов.

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип реактора

Однопластинная камера с «холодными» стенками из нержавеющей стали; нагрев лампами

Диаметр пластин

от 50 мм до 300 мм (2, 4, 6, 8 и 12 дюймов)

Загрузка

Ручная (R&D) или полностью автоматическая (промышленная) с роботизированной передачей из кассет/FOUP

Диапазон температур

От комнатной до 1250 °C (специализированные модели до 1500 °C)

Макс. скорость нагрева

До 200 °C/с

Макс. скорость охлаждения

До 150–350 °C/с

Рабочее давление

От атмосферного до 10^-⁶ Торр (в исполнениях с высоким вакуумом)

Равномерность температуры

≤ ±2 °C (для 300 мм пластины при 1000 °C); ≤ ±1 °C (в прецизионных системах)

Точность измерения/поддержания

±0,5 °C или лучше (при 1150 °C, благодаря многозонным пирометрам)

Поддерживаемые процессы:

RTA, RTO, RTN, силицирование, отжиг имплантации, рефлоу, RTCVD, сплавление контактов

Система газов / прекурсоры

N₂, O₂, Ar, NH₃, формирующий газ (Forming Gas, H₂/N₂), до 8–12 линий, MFC с точностью ≤ ±1%

Управление

Промышленный ПК с ПЛК и HMI; полная поддержка протоколов SECS/GEM, интеграция с MES

Электропитание

208–480 В, 1 или 3 фазы, 50/60 Гц

Энергопотребление

От 10 кВт (компактные R&D) до 60–100+ кВт (пиковая мощность 300-мм промышленных систем)

Охлаждение установки

Водяное (расход ≥10–20 л/мин, в зависимости от мощности)

Сжатый воздух (CDA)

4,8–7,6 бар (для пневматических клапанов и приводов)

Габариты (Ш×Д×В)

Настольные системы: от ~500×500×450 мм; полноразмерные: зависят от конфигурации и наличия робота

Масса

От 75 кг (R&D) до >1000 кг (промышленные кластерные модули с газовыми панелями)

Опции

Конфигурация реакторов: Однокамерные системы (Stand-alone) для R&D и многокамерные кластерные платформы (Cluster Tools) для интеграции в автоматизированные вакуумные линии (cassette-to-cassette)

Расширенная газовая система: До 12 газовых линий (включая коррозионно-активные NH₃, SiH₄, HCl, Cl₂, NF₃), испарители жидкостных прекурсоров для RTCVD, магистрали из электрополированной нержавеющей стали (EP)

Система нагрева: Двухстороннее освещение (верхнее + нижнее) для компенсации прозрачности подложек (стекло, SiC) и улучшения равномерности; мультизонное независимое управление группами ламп

Система быстрого охлаждения: Принудительное охлаждение обратной стороны подложки потоком инертного газа (N₂, He) для достижения скорости охлаждения >150 °C/с.

N₂ Load Lock / вакуумный шлюз: Камера предварительной вакуумирования для минимизации окисления и загрязнения при загрузке/выгрузке

Автоматизация: Полностью автоматическая загрузка из FOUP, роботизированный манипулятор (EFEM), встроенный стокер, производительность до 40–80 пластин/час (зависит от температурного профиля)

Очистка камеры in situ: Термические циклы очистки с использованием газов (NF₃, Cl₂) для удаления летучих отложений со стенок и защитных куполов

Специализированная обработка: Поддержка режимов и держателей (susceptors) для тонких пластин, силовой электроники (SiC, GaN) и соединений. Материалы держателей: кварц, графит или SiC-покрытый графит (для контроля эмиссионной способности)

Импульсный отжиг (Flash Lamp Annealing / Laser Annealing): Опция для сверхбыстрого нагрева (миллисекунды) термочувствительных подложек с минимальной тепловой инерцией

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад