Главная / Оборудование / Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)

Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)

Оборудование предназначено для автоматизированного высокоточного измерения критических размеров (CD, Critical Dimension) микроструктур на полупроводниковых пластинах — ширины линий, расстояний между элементами, диаметра контактных отверстий и других параметров топологии

Получить предложение

В отличие от универсального сканирующего электронного микроскопа (SEM), CD-SEM решает единственную задачу: с нанометровой точностью измерять параметры рисунка на пластине после операций фотолитографии, травления и осаждения плёнок.
Ключевые особенности CD-SEM, отличающие его от обычного SEM:

Низкая энергия первичного пучка — 2 кэВ и ниже, что минимизирует повреждение образца (зарядку) и воздействие на тонкие слои фоторезиста.
Максимальная калибровка увеличения — обеспечивает высочайшую точность и повторяемость измерений (около 1% 3σ от измеряемой ширины).
Полная автоматизация — загрузка пластин из кассет или FOUP, выполнение измерений по заранее заданному рецепту и выгрузка без участия оператора.

Принцип измерения основан на анализе профиля яркости (серого уровня) SEM-изображения: система определяет границы структуры по перепадам контраста и вычисляет расстояние между ними.

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип системы

Автоматический CD-SEM для метрологии критических размеров

Диаметр пластин

150–300 мм (6, 8, 12 дюймов)

Разрешение вторичных электронов (SE)

1,8–5,0 нм (при 800 В) в зависимости от модели

Ускоряющее напряжение

300–1600 В (с шагом 10 В)

Диапазон увеличения (SEM)

От ×1000 до ×300 000

Диапазон измерения (CD)

0,05–10,0 мкм

Повторяемость измерений

±1% или 3 нм (3σ) — большее значение

Прецизионность

0,5–0,8 нм (повторяемость/воспроизводимость)

Производительность

24–56 пластин/час (в зависимости от режима и количества точек)

Ток зонда

1–16 пА (в зависимости от напряжения)

Тип электронной пушки

Schottky-эмиссия с системой ускорения/торможения (boosting/retarding)

Объективная линза

Высоковозбужденная низкоаберрационная линза

Метод измерения

Cursor & Line Profile Method (измерение по профилю яркости)

Предметный столик

X/Y перемещение до 300 мм; привод — шаговый двигатель; позиционирование — лазерный интерферометр

Скорость перемещения столика

До 200 мм/с (по осям X/Y)

Точность позиционирования столика

±1 мкм

Система отклонения

2-ступенчатая электромагнитная

Коррекция астигматизма

8-полюсная электромагнитная (X, Y)

Детекторы

Сцинтиллятор / фотоумножитель с EXB-фильтром; раздельное детектирование SE и BSE

Оптический микроскоп

Поле зрения ~1,2×1,2 мм, монохромная CCD-камера

Система вакуума

Полностью автоматическая, безмасляная; 3 ионных насоса, 2 турбомолекулярных насоса, 2 сухих насоса

Управление

Промышленный ПК (EWS) с GUI; рецептурное управление; автоматический и ручной режимы

Класс чистоты

ISO Class 5–6

Питание

200–480 В, 50/60 Гц

Опции

Алгоритмы измерения:

- Измерение линий, промежутков, шага (pitch) и краёв (edge)
- Усреднённое CD-измерение (ACD)
- Анализ шероховатости линий и краёв (LER/LWR)
- Полный анализ контактных отверстий 2D
- Анализ открытия/закрытия контактных отверстий
- Измерение кратчайшего расстояния
- Измерение скругления углов (corner rounding)
- Сопоставление с эталонным паттерном (Golden Pattern Score Matching)

Режимы измерений:

- Автоматический режим — по заранее заданному рецепту
- Ручной режим — с управлением от оператора

Программное обеспечение:

- Файловое сохранение рецептов измерений
- Статистическая обработка данных (среднее, стандартное отклонение)
- Отображение карты пластины, координат столика и результатов измерений
- Графическое отображение измерений в реальном времени
- Экспорт данных в отраслевые форматы

Опции визуализации:

- Обработка изображений в реальном времени с использованием DSP
- Запись изображений

Интеграция:

- Поддержка SECS/GEM для интеграции в Fab-wide системы управления
- Совместимость с автоматическими линиями и кластерными системами

Безопасность:

- Аварийное отключение
- Защита при падении давления воздуха и расхода охлаждающей воды
- Защита при отключении электропитания
- Соответствие SEMI S2/S8

Ключевое преимущество СЭМ:

Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад