Главная / Оборудование / Реактивно-ионное травление (ICP RIE)

Реактивно-ионное травление (ICP RIE)

Установка сухого плазменного травления с независимым управлением плотностью плазмы (ICP) и энергией ионов (BIAS), предназначенная для анизотропного травления микро- и наноструктур

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Габариты обрабатываемых пластин и подложек:

диаметр до 300 мм

Неравномерность скорости травления:

<±3% (по всей пластине)

Остаточное давление:

< 5×10⁻⁸ Торр

Температура подложки:

охлаждаемый электрод с контролем до -30 °C

Максимальная температура нагрева подложек:

400 °C (опционально до 600 °C)

Мощность ICP источника:

до 3000 Вт (2 МГц или 13,56 МГц)

Мощность ВЧ смещения (BIAS):

до 1000 Вт (13,56 МГц)

Рабочее давление:

10–1000 мТорр (настраиваемое)

Система автоматической подстройки импеданса

Встроенная система безопасности (блокировки двери, клапанов, охлаждения, газа)

Автоматическая система управления на базе ПЛК (сенсорный экран)

Документирование параметров процесса в реальном времени (давление, мощность, газовая смесь, температура, длительность)

Управление рецептами, многоуровневый доступ (оператор, технолог, инженер) с парольной защитой

Газовая линия: до 8 масс-расходомеров, подогреваемые линии газов

Датчик окончания травления – энд-детектор (спектрометр или лазерный интерферометр)

Опции

Возможность модификации для Bosch процесса – глубокое травление кремния (DRIE) с чередованием травления и пассивации (C₄F₈ / SF₆), включая быстрые переключения газов (≤ 100 мс), соотношение аспектов до 50:1, скорость травления до 20 мкм/мин

Загрузочный шлюз (Load-lock) для защиты основного объема от атмосферы

Плазменная очистка камеры

Охлаждение обратной стороны пластины гелием

Интеграция с перчаточным боксом (включая шлюз и автоматические блокировки)

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад