Главная / Оборудование / Печь осаждения SACVD

Печь осаждения SACVD

Оборудование для химического осаждения из газовой фазы при пониженном (субатмосферном) давлении — обычно в диапазоне 50–600 Торр. Реакционные газы подаются в камеру, где проходят над нагретой подложкой (типичный диапазон 300–700 °C), инициируя химические реакции и осаждение продукта в виде тонкой плёнки. Ключевое применение SACVD — заполнение узких зазоров с высоким аспектным отношением (gap fill) за счёт применения химии TEOS + O₃. Основные осаждаемые материалы — нелегированный и легированный диоксид кремния (USG, PSG, BPSG), фторсиликатное стекло (FSG)

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип реактора

кластерные платформы с однопластинной обработкой; поддержка горячих стенок и субатмосферного давления

Диаметр пластин

от 150 до 300 мм (6–12 дюймов)

Загрузка

однопластинная, автоматическая роботизированная передача в составе кластера

Диапазон температур

300–700 °C (типовые процессы для BPSG / TEOS)

Рабочее давление

50–600 Торр (субатмосферное)

Скорость осаждения

TEOS основа: до 1000–5000 Å/мин (1,67−8,33 нм/с) в зависимости от рецепта.
O₃ TEOS: до 1 мкм/мин при заполнении структур для 3D NAND

Равномерность толщины

≤ ±2% по пластине

Ступенчатое покрытие (step coverage)

>60% для аспектного отношения 10:1 (SACVD TEOS+O₃)

Заполняющая способность (gap fill)

обеспечивается для структур с аспектным отношением ≥ 5:1 без образования пустот

Типичные прекурсоры / процессы:

- TEOS + O₂ / O₃ — осаждение SiO₂.
- TEOS + TEPO / TMB — легированные стёкла PSG, BPSG.
- Дополнительные реагенты: SiH₄, N₂O, He, Ar, NF₃ для очистки камеры

Система подачи газов

MFC с точностью ≤±1%; конфигурация включает до 8 газовых линий + жидкостные источники

Управление

промышленный ПК с ПО для контроля процесса, поддержка SECS/GEM, интерфейс с MES

Питание

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Энергопотребление

5–10 кВт (модуль осаждения)

Вакуумная система

турбомолекулярный + механический насос

Охлаждение

водяное (встроенное в платформу, расход зависит от конфигурации)

Вытяжка

не регламентируется отдельно, интегрирована в кластер

Сжатый воздух

4,8–7,6 бар

Опции

Конфигурация реакторов — от 1 до 3 технологических модулей на одной платформе, возможность работы с 200 и 300 мм пластинами в рамках одной системы

Газовая система — расширение до 3 источников (TEOS, TEPO, TMB) для реализации легированных и многослойных структур

Тип нагрева — резистивный с несколькими независимыми зонами нагрева для обеспечения равномерности по пластине

Система быстрого охлаждения — принудительное охлаждение после высокотемпературных процессов

N₂ load lock — минимизация окисления при загрузке/выгрузке (встроен в кластерные платформы)

Автоматизация — полностью автоматическая загрузка FOUP, роботизированная передача пластин, встроенный стокер; производительность кластера до 80–100 пластин в час

Система плазменной очистки in situ — использование NF₃ для удаления отложений с внутренних поверхностей камеры

Обработка тонких пластин / IGBT / SiC — поддержка специализированных режимов для силовой электроники

Импульсные режимы подачи газов (pulsed SACVD) — повышение конформности и равномерности, особенно для TSV-структур

Предиктивная аналитика и удалённый мониторинг — интеграция в MES, поддержка Fab wide систем управления производством

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад