En Ru
Главная / Оборудование / Установка растяжки плёночного носителя
Фотоника и оптоэлектроника
Органическая электроника
МЭМС
Кремниевая электроника
Силовая электроника
СВЧ
Общие характеристики
Размер пластин:
до 300 мм (в зависимости от модели)
Подогрев рабочего стола:
20 – 80 °С
Высота подъема стола:
20 – 60 мм
Возможность работы с пленками:
UV, PO, PVC, NITTO и др.
Толщина пленки:
80 – 300 мкм (в зависимости от модели)
Расширение:
до 1 мм (в зависимости от модели)
Опции
Азотный стержень (пневматическая поддержка)
Автоматическая резка пленки дисковым ножом
Сменные ограничительные посадочные кольца
Инфракрасная система позиционирования
Ионный стержень (для снятия электростатики)
Специальные рабочие столы (в зависимости от задач)
Дополнительные системы безопасности
Ключевое преимущество СЭМ:
Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве
Позвоните нам +7 (495) 150 95 46
Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме
и дополнительную информацию в этой форме
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.
▸ Магнетронное напыление (SputterPVD)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Полуавтоматическая установка нанесения фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Установка индивидуальной отмывки и сушки пластин
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка дисковой резки полупроводниковых пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Сканирующий/растровый электронный микроскоп (SEM/ РЭМ)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Магнетронное напыление (SputterPVD)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Полуавтоматическая установка нанесения фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Установка индивидуальной отмывки и сушки пластин
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка дисковой резки полупроводниковых пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Сканирующий/растровый электронный микроскоп (SEM/ РЭМ)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)