Главная / Оборудование / Диффузионная печь вертикального типа для процессов лигирования и оксидации

Диффузионная печь вертикального типа для процессов лигирования и оксидации

Печь конструктивно выполнена в виде вертикального кварцевого реактора (конструкция – hot‑wall). Обеспечивает высокую производительность и отличную равномерность осаждения за счёт вращения пластин. В современном производстве вертикальные печи стали отраслевым стандартом, постепенно вытеснив горизонтальные системы благодаря лучшей автоматизации и меньшему загрязнению пластин. Используются как в промышленном производстве, так и в исследовательских целях

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Диаметр пластин:

от 50 мм до 300 мм, включая 150 мм, 200 мм и 300 мм

Загрузка:

- R&D: до 25–50 шт.
- Промышленные: 100–150+ шт. (300 мм до 150 шт., 200 мм до 150 шт.)

Диапазон температур:

200–1350°C (опционально до 1500°C)

Длина равномерной зоны:

960–1040 мм и более (в зависимости от модели)

Неравномерность температуры:

≤ ±0,5°C (до ±1,0°C для всей длины зоны)

Зоны нагрева:

3 или 5 зон

Кварцевые реакторы:

до 4 независимых труб в многотрубной конфигурации

Погрешность газовой системы:

≤ ±1,0%

Управление:

ПЛК + HMI (промышленный ПК) с сенсорным экраном; распределённая система управления

Поддерживаемые процессы:

- Окисление: сухое, влажное (синтез пара), пирогенное, HiPOx, низкотемпературное окисление
- Легирование: POCl₃, BBr₃, твёрдые и газообразные источники, in‑situ легирование поликремния
- Термические процессы: отжиг (H₂, N₂), активация примесей, сплавление, стабилизация

Питание:

380/400 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Энергопотребление:

- R&D: от 20 кВт
- Промышленные: 45–165 кВт

Охлаждение:

водяное (8–60 л/мин)

Вытяжка:

200–800 м³/ч

Сжатый воздух:

4,8–7,6 бар

Опции

Конфигурация реакторов: на выбор от 1 до 12-трубных систем (в том числе dual‑reactor с последовательной обработкой в двух камерах без окисления)

Газовая система: до 8 газовых линий и 2 жидкостных источников (DCE, POCl₃, BBr₃, NH₃, N₂O, SiH₂Cl₂)

Тип нагрева: стандартный резистивный, высокотемпературный (MoSi₂ до 1350°C)

Система принудительного охлаждения (fast cooling / forced‑cooling)

N₂ load lock для минимизации окисления при загрузке/выгрузке

Интеграция: SECS/GEM, интерфейс для связи с MES, HSMS/GEM

Автоматизация: полностью автоматическая загрузка кассет (FOUP), роботизированная передача пластин (single/five wafers), встроенный стокер на 16–20 кассет

Система плазменной очистки (in‑situ) перед процессом – опционально

Обработка тонких пластин / IGBT / SiC

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад