Главная / Оборудование / Высокоэнергетические имплантеры (High Energy Implanter)

Высокоэнергетические имплантеры (High Energy Implanter)

Высокопроизводительная промышленная установка для имплантации ионов с высокой энергией (от 500 кэВ до 2,5 МэВ и выше), обеспечивающая формирование глубоких легированных слоёв, скрытых коллекторов и изолирующих структур. Оборудование оптимизировано для передовых логических узлов (28 нм / 22 нм и больше), памяти (DRAM, 3D-NAND), силовой электроники (IGBT, SiC, GaN) и ВЧ-компонентов, отличаясь высокой надёжностью, низкой стоимостью владения и минимальным уровнем загрязнений

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Энергетический диапазон (однозарядные ионы):

от 80 кэВ до 500 кэВ

Расширенный энергетический диапазон:

до 1,5 МэВ / 2,5 МэВ (возможна поэтапная настройка под заказчика)

Типы имплантируемых ионов:

B, P, As, Sb, Al, Ga, In, C, Si, Ge, O, N, H, He, а также молекулярные ионы (BF₂, PH₃ и др.) с возможностью работы с многозарядными состояниями

Диаметр обрабатываемых пластин:

150 мм, 200 мм, 300 мм (с автоматической перенастройкой)

Равномерность дозы по пластине:

< 1,0% (1 σ)

Воспроизводимость дозы:

< 0,5% (от пластины к пластине)

Угловое отклонение пучка:

< 0,2° (точность ориентации кристаллографических плоскостей)

Остаточное давление в вакуумной системе:

< 5×10⁻⁷ Торр (в ускорительной трубке – < 5×10⁻⁶ Торр)

Максимальный ток пучка (для HE):

до 15 мА (лёгкие ионы, средние энергии)

Ток пучка (для UHE):

до 3–5 мА (в зависимости от энергии и массы иона)

Автоматическая загрузка/выгрузка пластин через вакуумный шлюз с поддержкой FOUP и открытых кассет (совместимость с 25-местными кассетами)

Температурный контроль подложки:

от 10 °C до 350 °C (опционально криогенное охлаждение до –30 °C)

Угол наклона пластины:

от –15° до +60° с поворотом 360° (для управления каналовым эффектом и теневой имплантации)

Метод сканирования: электростатическое (X-Y) или гибридное (пучок + механическое перемещение)

Система дозиметрии: многоканальный Фарадеевский коллектор с обратной связью в реальном времени, включая контроль тока пучка на пластине

Масс-анализатор с разрешением M/ΔM > 150 (опционально > 250) для надёжного отделения примесных ионов

Автоматизированная система управления: ПЛК + сенсорный HMI-интерфейс, полное логирование (энергия, доза, ток, давление, температура, вакуум)

Многоуровневый доступ: оператор, технолог, инженер, администратор (с аудитом действий по стандартам SEMI)

Безопасность: встроенные детекторы ионизирующего излучения, блокировки высокого напряжения, защитные межблочные замки, аварийное отключение пучка

Соответствие стандартам SEMI S2/S8, CE, UL

Опции

Серийные модификации:

- Система до 500 кэВ, оптимизирована для узлов 28/22 нм, логики и памяти (высокая надёжность, низкая стоимость владения)
- Система до 1,5 МэВ (расширенная энергия для глубоких слоёв в силовых приборах)
- Система до 2,5 МэВ (сверхглубокое легирование, исследовательские задачи, протонная имплантация)

Типы источников ионов на выбор:

- Freeman (для высоких токов лёгких ионов)
- Bernas (для стабильной работы с тяжёлыми и твёрдыми материалами)
- RF-источник (для молекулярных и многозарядных ионов)

Вакуумные насосы: турбомолекулярные + криогенные (основная опция) или диффузионные (для экономичного варианта)

Система охлаждения пластины с жидким теплоносителем (включая чиллер)

Нагрев пластины до 600 °C (для динамической имплантации и отжига in-situ)

Автоматический загрузчик с двойным FOUP-портом (повышение производительности)

Интеграция с метрикой in-line (ELIPSON, фоторефлектометрия для контроля повреждений)

Опция энергетического фильтра для нейтральных частиц (снижение загрязнения)

Система быстрой смены мишеней (до 4 различных материалов без вскрытия вакуума)

Поддержка клиентского ПО для TCAD-моделирования профилей с прямым экспортом рецептов

Дополнительная защита от металлических загрязнений (покрытие камеры из алмазоподобного углерода)

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад