Главная / Оборудование / Установка химико-механической полировки (ХМП)

Установка химико-механической полировки (ХМП)

Оборудование предназначено для глобальной планаризации (выравнивания) поверхности полупроводниковых пластин путем сочетания химического и механического воздействия.
ХМП (Chemical Mechanical Polishing /
Planarization, CMP) — это критический этап в производстве интегральных схем, позволяющий удалять неровности поверхности, возникающие после осаждения каждого нового слоя диэлектрика или металла.

Получить предложение

Процесс реализуется следующим образом: пластина закрепляется в полировальной головке и прижимается лицевой стороной к вращающейся полировальной подушке (платену). В зону контакта непрерывно подается полировальная суспензия, содержащая химически активные реагенты и абразивные частицы. Химическая составляющая размягчает или образует на поверхности пластины легкоудаляемый слой, а механическая — снимает этот слой абразивными частицами. Многократное чередование химических и механических воздействий позволяет достичь атомарной гладкости (шероховатость до 1 нм) и высокой степени плоскостности, необходимой для последующих фотолитографических операций.
Ключевая особенность — обработка ведется по всей поверхности пластины одновременно, что обеспечивает глобальную, а не локальную планаризацию. Установки могут быть однопластинными (single-wafer) для высокопроизводительного производства или многопластинными (batch)
для R&D и опытных партий.

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип системы

Однопластинная (single-wafer) / многопластинная (batch); ручная, полуавтоматическая или полностью автоматическая

Диаметр пластин

От 50 мм до 300 мм (2, 4, 6, 8, 12 дюймов)

Количество одновременно обрабатываемых пластин

1–2 (однопластинные); до 25 (кассетные системы)

Диаметр полировальной подушки (платена)

От 406 мм до 600 мм и более

Скорость вращения платена

0–180 об/мин (программируемая)

Скорость вращения полировальной головки

До 100 об/мин

Диапазон давления полировальной головки

1-7 psi (70–500 г/см²); до 10 psi (700 г/см²)

Точность контроля давления в головке

< 0,05 psi

Точность контроля скорости вращения

< 1 об/мин

Точность контроля расхода суспензии

< 5 мл

Скорость съема материала

От 1500 Å/мин и выше; до 0,9 мкм/мин

Равномерность съема по пластине (WIWNU)

< 4%

Скорость съема материала

От 1500 Å/мин и выше; до 0,9 мкм/мин

Равномерность съема по пластине (WIWNU)

< 4%

Конечная шероховатость поверхности

До 1 нм (Ra); до нескольких ангстрем

Количество платенов (полировальных столов)

От 1 до 3 и более

Зоны контроля давления в головке

3–5 зон (мультизонное управление)

Метод прижима

Пневматический (внешняя воздушная подушка)

Загрузка

Ручная (R&D), полуавтоматическая или полностью автоматическая

Управление

ПЛК + HMI (сенсорный экран), рецептурное управление, поддержка SECS/GEM

Питание

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Габариты (Ш×Г×В)

От 1380×1110×1873 мм

Масса

От 1800 кг до 5000 кг и более

Опции

Конфигурация платенов — от 1 до 3 полировальных столов на одной системе для последовательной обработки (грубая → тонкая полировка).

Многозонная полировальная головка — 3–5 независимых зон давления для точного контроля профиля съема по всей поверхности пластины

In-situ кондиционирование подушки — автоматическая правка (dressing) полировальной подушки непосредственно в процессе полировки для поддержания стабильной скорости съема

Система контроля конечной точки (EPD) — определение момента завершения полировки по изменению крутящего момента трения

Встроенная система очистки — пост‑CMP очистка пластин для удаления остатков суспензии и частиц

Система рециркуляции суспензии — сбор и повторное использование полировальной жидкости для снижения расхода и затрат

Температурный контроль — система охлаждения полировального стола с инфракрасным датчиком температуры для стабилизации процесса

Автоматическая загрузка/выгрузка — роботизированная передача пластин из кассет (FOUP) с производительностью до 75 пластин/час

Видеомониторинг — встроенная камера для наблюдения за процессом и анализа аномалий

Поддержка тонких и деформированных пластин — специальные держатели для утончённых (thinned) и склеенных (bonded) подложек

Интеграция с MES — полная поддержка SECS/GEM, GEM300

Безопасность — защита оператора в соответствии с SEMI S2/S8, работа с химически агрессивными суспензиями в герметичной камере

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад