Главная / Оборудование / Магнетронное напыление (Sputter PVD)

Магнетронное напыление (Sputter PVD)

Универсальная установка нанесения тонких плёнок методом магнетронного распыления (PVD Sputtering) для осаждения металлических, диэлектрических и полупроводниковых покрытий

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Преимущества

Общие характеристики

Габариты обрабатываемых пластин и подложек:

диаметр до 300 мм (полупроводниковая пластина) или 470 x 370 мм² (стекло)

Равномерность по толщине:

менее ±3%

Остаточное давление:

<10E-8 Торр (базовое), <10E-5 Торр (рабочее)

Максимальная температура нагрева подложек:

до 800˚C (опционально с радиационным нагревом)

Количество магнетронных источников:

до 6 шт. (постоянный ток DC, высокочастотный RF, импульсный DC, HIPIMS)

Возможность одновременного или последовательного распыления различных материалов

Встроенная система безопасности, автоматические блокировки дверей, клапанов и вентилей

Автоматическая система управления на базе ПЛК с сенсорным экраном

Документирование параметров техпроцесса в реальном времени (давление в камере, температура, мощность на источниках, скорость распыления, расход газов и т.д.)

Управление техпроцессом в реальном времени для обеспечения высокого качества и повторяемости толщин плёнок

Различные уровни доступа к системе (оператор, технолог, инженер-наладчик) с защитой через логин-пароль

Кварцевый датчик толщины для контроля толщины нанесения с обратной связью (скорость осаждения и итоговая толщина)

Прецизионные масс-расходомеры для подачи рабочих газов (Ar, N₂, O₂ и др.)

Возможность оснащения системами откачки на основе турбомолекулярного или криогенного насоса

Специальная конфигурация и состав под заказ

Опции

На выбор доступны конфигурации с турбомолекулярным, криогенным или диффузионным насосом

Возможность напыления на обе стороны пластины в одном процессе (без развакуумирования)

Возможность объединения с системой E-Beam PVD в одной процессной камере

Типы магнетронов: круглые (от 2" до 4") или прямоугольные (для линейных источников)

Источники питания: DC, импульсный DC (pDC), высокочастотный RF (для диэлектриков)

Загрузочный шлюз (load-lock) для повышения производительности и защиты базового вакуума

Наклон или вращение подложкодержателя с регулируемой скоростью

Доступные опции нагрева подложек: 300 ˚C, 500 ˚C, 800 ˚C

Интеграция с перчаточным боксом (включая шлюз и автоматическую блокировку) для работы с чувствительными к атмосфере материалами

Система плазменной очистки подложек (in-situ plasma cleaning) перед процессом напыления

Преимущества

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад