Главная / Оборудование / Установка индивидуальной отмывки и сушки пластин

Установка индивидуальной отмывки и сушки пластин

Оборудование предназначено для удаления загрязнений (частиц, следов металлов, органических остатков, отработанных суспензий CMP) с поверхности полупроводниковых пластин и их финишной сушки без образования разводов.
Процесс реализуется индивидуально (одна пластина за раз) — каждая пластина обрабатывается в отдельной камере или последовательности ванн. Это исключает перекрёстное загрязнение и обеспечивает чистоту, необходимую для последующих литографических, эпитаксиальных и высокотемпературных процессов

Получить предложение

Основные конструктивные варианты:

Центрифужная обработка (spin processor) – пластина закрепляется на вращающемся столике, реагенты и деионизованная вода подаются на её поверхность.
Погружная обработка одной пластины (single‑wafer immersion) – пластина полностью или частично погружается в ванну с промывочным раствором (например, SC‑1, SC‑2, HF, DI‑вода). Такая конфигурация обеспечивает лучший тепловой контроль и равномерность при мегазвуковом воздействии.
Гибридные системы – последовательно работают ванна погружения (для размягчения

загрязнений) и центрифужная сушка.
Для усиления отмывки применяется ультразвук (20–400 кГц) и мегазвук (0,8–2 МГц). Мегазвук стал отраслевым стандартом: он создаёт микроскопические кавитационные пузырьки, эффективно удаляющие частицы, но не повреждающие тонкие структуры на пластине.

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип системы

Однопластинная (single‑wafer): спин‑процесс, погружная ванна, гибрид

Диаметр пластин

От 50 мм до 300 мм (2, 4, 6, 8, 12 дюймов)

Конфигурация камер

От 1 (R&D) до 8–16 (промышленные кластеры)

Способы отмывки

Мегазвук (1–3 МГц), ультразвук (20–400 кГц), распыление жидкостью под давлением (N₂+DI), вращение, погружение

Загрузка

Ручная (R&D) или автоматическая (роботизированная из FOUP/кассет)

Скорость вращения (спин‑системы)

До 3000 об/мин (стандартный диапазон)

Производительность

От 40 до 120 пластин/час в зависимости от рецепта и числа камер

Отмывочные растворы

Деионизованная вода (DI), SC‑1 (NH₄OH+H₂O₂), SC‑2 (HCl+H₂O₂), разбавленный HF (только для удаления оксида без травления нижележащих слоёв), органические растворители (NMP, ацетон) – в целях отмывки, без повреждения функциональных структур

Методы сушки

- Центрифужная (spin‑dry) – базовая технология, удаление жидкости за счёт центробежной силы.
- Сушка N₂ – поток горячего или холодного азота ускоряет испарение.
- Метод Марангони – пары IPA подаются на поверхность, создавая градиент поверхностного натяжения, что предотвращает образование разводов

Класс чистоты

ISO 5 (класс 100) и выше (ламинарный поток FFU)

Управление

ПЛК + HMI (сенсорный экран), поддержка SECS/GEM / GEM300, интерфейс с MES

Питание / энергопотребление

200–480 В, 1 или 3 фазы; от 5 кВт (компактные) до 60+ кВт (многокамерные)

Потребление DI‑воды

От 1,5 до 10 л/мин (зависит от режима и мегазвука)

Потребление N₂ / CDA

N₂: 70–150 л/мин (2–3 бар); CDA (сжатый воздух): 4,8–7,6 бар

Габариты (Ш×Д×В)

От 800×650×750 мм (настольные R&D) до стоек 2×2×2 м

Масса

От 200 кг (R&D) до >2000 кг (промышленные системы)

Опции

Погружная отмывка одной пластины – реализована в отдельных ваннах или в гибридных системах (ванна + спин‑сушка)

Регулируемая мегазвуковая / ультразвуковая генерация – позволяет настраивать частоту и мощность под тип загрязнения и чувствительность пластины

Двусторонняя очистка и обработка скоса пластины – с помощью вращающихся щёток и двужидкостного распыления (N₂ + DI)

Контроль качества воды – встроенный датчик удельного сопротивления DI‑воды (до 18 МОм·см) для автоматического завершения промывки

Управление рецептами – хранение десятков рецептов с параметрами (расход, вращение, частота мегазвука, время, температура) для полной воспроизводимости

Поддержка тонких и нестандартных пластин – специальные держатели для SiC, GaN, IGBT

Автоматический долив химикатов и контроль концентрации – особенно важно для погружных ванн, повышает стабильность процесса

Экологичные опции – рециркуляция DI‑воды, системы снижения выбросов аэрозолей

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад