En Ru
Главная / Оборудование / Установка шовно-роликовой герметизации
Фотоника и оптоэлектроника
Органическая электроника
МЭМС
Кремниевая электроника
Силовая электроника
СВЧ
Общие характеристики
Сварочный ток:
30 – 2500 А (в зависимости от модели)
Усилие на электродах:
50 – 1000 г
Длительность импульса:
0,1 – 99 мс
Скорость сварки:
2,5 – 38 мм/с (в зависимости от модели)
Атмосфера внутри бокса:
< 0,2 % влажности
Точность позиционирования:
± 20 мкм
Опции
Оснастка для матричной сварки
Различные режимы прихватки крышки
Модуль загрузки
Системы машинного зрения
Станция регенерации газа
Интегрированная вакуумная печь
Работа с нестандартными формами корпусов
Различные диаметры роликов и углов конусности
Ключевое преимущество СЭМ:
Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве
Позвоните нам +7 (495) 150 95 46
Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме
и дополнительную информацию в этой форме
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.
▸ Магнетронное напыление (SputterPVD)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Полуавтоматическая установка нанесения фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Установка индивидуальной отмывки и сушки пластин
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка дисковой резки полупроводниковых пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Сканирующий/растровый электронный микроскоп (SEM/ РЭМ)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Магнетронное напыление (SputterPVD)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Полуавтоматическая установка нанесения фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Установка индивидуальной отмывки и сушки пластин
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка дисковой резки полупроводниковых пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Сканирующий/растровый электронный микроскоп (SEM/ РЭМ)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)