Главная / Оборудование / Установка электрохимического осаждения (гальваника)

Установка электрохимического осаждения (гальваника)

Установка предназначена для электрохимического (гальванического) осаждения металлов и сплавов на полупроводниковые пластины, подложки и другие токопроводящие основания. Процесс основан на восстановлении ионов металла из раствора электролита под действием электрического тока, где пластина выступает в роли катода, а осаждаемый металл (или инертный анод) — анода

Получить предложение

В производстве полупроводников и микросистемной техники электрохимическое осаждение (Electrochemical Deposition, ECD) является ключевым методом формирования проводящих структур, столбиковых выводов, межсоединений и металлизации сквозных отверстий. Типовой технологический маршрут обработки одной пластины включает:

Загрузку и предварительное смачивание/вакуумирование (удаление пузырьков из микрорельефа).
Электрохимическое осаждение в ванне с контролируемым гидродинамическим режимом при постоянном, импульсном или реверсивном токе.
Промывку в деионизованной воде (каскадную или погружную) для удаления остатков электролита.
Сушку (центрифугированием, обдувом азотом или парами изопропилового спирта).

Современные системы могут быть многокамерными полностью автоматическими платформами (роботизированная загрузка/выгрузка из кассет или FOUP), полуавтоматическими с ручной загрузкой и автоматическим циклом, либо лабораторными ручными/настольными для R&D. Ключевые задачи процесса — высокая равномерность толщины покрытия по пластине (Within-Wafer Uniformity), воспроизводимость от пластины к пластине, сплошность заполнения микроотверстий и канавок без пустот, а также контроль механических напряжений и состава сплава.

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип системы

Полностью автоматическая / полуавтоматическая / ручная (R&D)

Диаметр пластин

От 50 мм до 300 мм (единичные и кассетные исполнения)

Конфигурация

Однокамерная или многокамерная кластерная платформа

Количество ванн (камер осаждения)

От 1 до 12 и более (для последовательного наращивания разных металлов)

Тип источника питания

Постоянный ток, импульсный (PC), реверсивно-импульсный (PRC)

Максимальная плотность тока

1–15 А/дм²
20–25 А/дм² (Толстые Cu pillars, PRC)

Скорость осаждения (Cu)

0.1–5 мкм/мин

Максимальная толщина осаждения

До 200 мкм (Cu), до 50–100 мкм (Ni, Au, припой)

Неравномерность по пластине (NU, 1σ)

≤ 5 % (типовое значение 2–3 %)

Воспроизводимость от пластины к пластине

≤ 3 %

Тип перемешивания электролита

Лопастное (paddle), фонтанное/струйное (fountain flow), комбинированное

Система контакта к пластине

Кольцевой токосъём (катодное кольцо) с герметизацией торца

Точность поддержания температуры

±0.5 °C

Фильтрация электролита

0.1–1 мкм (полипропилен, PTFE), непрерывная рециркуляция

Контроль состава электролита

Ручной долив / автоматическое дозирование по А·ч

Загрузка

Ручная (пинцет/манипулятор), полуавтоматическая, автоматическая (кассеты SMIF/FOUP)

Управление

ПЛК + HMI (сенсорная панель), рецептурное управление, сбор данных

Интерфейсы

SECS/GEM (опционально), Ethernet, USB

Питание

380–480 В, 50/60 Гц, сжатый азот, деионизованная вода

Габариты (Ш×Г×В)

От 600×800×1200 мм (настольная R&D) до 2500×3500×2200 мм (автоматическая платформа)

Масса

От 150 кг до 4500 кг

Опции

Режимы осаждения:

- Импульсное осаждение (PC) — улучшенное заполнение микроструктур.
- Реверсивно-импульсное осаждение (PRC) — выравнивание поверхности, заполнение TSV без пустот (bottom-up fill).
- Мультисегментные программируемые профили тока для контроля состава сплава.

Конфигурация ванны:

- Однокамерная (одна пластина за цикл) для R&D и мелкосерийного производства.
- Многокамерная кластерная платформа с центральным роботом для массового производства (до 60 пластин в час и более).
- Интеграция модулей предсмачивания, струйной промывки, сушки Marangoni (IPA-сушка).

Источник питания:

- Прецизионный биполярный источник с разрешением по току ≤ 0.1 мА.
- Мониторинг и запись в реальном времени напряжения на ванне и тока.

Система перемешивания:

- Лопастное перемешивание с регулируемым зазором и скоростью.
- Струйное (фонтанное) перемешивание с распределённой подачей электролита через сопла — для высокой равномерности на тонких затравочных слоях.
- Вращение катодного узла (карусель) для серийной обработки нескольких пластин.

Дополнительные модули:

- Автономный блок регенерации и очистки электролита (удаление продуктов разложения органических добавок).
- Анализатор органических добавок (CVS — Cyclic Voltammetric Stripping) для автоматической корректировки состава ванны.
- Система автоматического дозирования по показаниям CVS (замкнутый контур).
- Мегазвуковой излучатель (megasonic) в ванне для дегазации и ускорения заполнения.

Оснастка:

- Сменные катодные кольца для разных диаметров пластин (100, 150, 200, 300 мм).
- Оснастка для осаждения на прозрачные подложки с кольцевым и центральным токоподводом.

Интеграция и автоматизация:

- Совместимость с E84, E87, E90 (автоматизированная передача пластин).
- Поддержка протокола SECS/GEM (E30, E5) для связи с заводской MES-системой.

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад