Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)

Модульная архитектура:

до 6 технологических модулей (PM) на одну систему, возможность наращивания конфигурации

Доступные процессы в модулях:

- Магнетронное распыление (Sputter)
- Реактивное ионное травление (RIE / ICP RIE)
- Плазмо­химическое осаждение (PECVD)
- Электронно-лучевое и термическое испарение (Evaporate)
- Атомно-слоевое осаждение (ALD)
- Отжиг / температурная обработка (Annealing)
- Плазменная очистка подложек (Plasma Cleaning)
- Охлаждение и постработка (Cooling Down)

Габариты обрабатываемых подложек:

- Полу­проводниковые пластины: диаметр до 300 мм
- Возможна обработка нестандартных фрагментов и шаблонов

Равномерность нанесения/травления:

< 3–5% (в зависимости от процесса)

Базовое давление в транспортной камере:

< 5×10⁻⁹ Торр (сверх­высоко­вакуумное исполнение)

Остаточное давление в модулях:

до < 10⁻⁹ Торр (в зависимости от насосной группы)

Диапазон температур подложек:

от -30 °C (с опцией охлаждения) до +600 °C (с опцией нагрева)

Автоматическая централизованная система управления: сенсорный экран + удалённый мониторинг

Полное документирование параметров процесса: давление, температура, мощность, газы, скорость осаждения/травления, временные метки

Управление рецептами: многоуровневые библиотеки процессов, редактирование онлайн, защита от несанкционированных изменений

Система безопасности: блокировки дверей, клапанов, газовых линий; аварийное отключение, сигнализация

Уровни доступа: оператор, технолог, инженер-наладчик, администратор — с авторизацией по логину/паролю

Возможность работы с несколькими мишенями/источниками: до 6–8 позиций в одном модуле

Встроенный контроль окончания процесса: кварцевые весы, оптическая эмиссионная спектроскопия (OES), интерферометрия

Поддержка смешанных процессов: последовательное или одновременное нанесение различных материалов без разгерметизации

Гибкая конфигурация под заказ: выбор кол-ва, типа и расположения модулей

Вакуумные насосы на выбор:

- Турбо­молекулярные (TMP) + механические
- Криогенные насосы (для UHV)
- Диффузионные насосы (для высоких потоков)

Типы источников распыления:

- Постоянный ток (DC)
- Высокочастотный (RF)
- Импульсный (Pulsed DC)
- Магнетроны с несбалан­сированной конфигурацией

Количество мишеней на модуль: 1, 2, 4 или 6 — указывается при заказе

Загрузочный шлюз (Load Lock): одно- или двухпозиционный, с быстрым откачиванием

Система активного охлаждения подложек: до -30 °C с рециркуляцией хладагента

Нагрев подложек: до 300 °C, 500 °C или 600 °C (выбор исполнения)

Наклон и вращение подложкодержателя:для улучшения равномерности покрытия

Система подачи реактивных газов: масс-контроллеры (MFC) до 6 линий с прецизионной регулировкой

Возможность установки «через стену»

Встроенная плазменная очистка in-situ между процессами

Исполнение для чистых помещений: класс ISO 3–5, компактное размещение

Удалённый доступ: управление через Ethernet, SCADA-совместимость, оповещение по e-mail/SMS