Главная / Оборудование / Печь осаждения LPCVD

Печь осаждения LPCVD

Термическое оборудование для химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении (0,1 - 10 Торр) в кварцевом реакторе. Обеспечивает высокую равномерность, чистоту и конформность покрытий. Горизонтальное исполнение оптимально для R&D и мелкосерийного производства, вертикальное — отраслевой стандарт для высокопроизводительного выпуска пластин 200 и 300 мм с полной автоматизацией. Используется для осаждения поликремния, нитрида кремния, диоксида кремния (в т.ч. из TEOS), легированных стёкол (BPSG, PSG, BSG)

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип реактора

горизонтальный (14 кварцевые трубы) или вертикальный (многотрубные
конфигурации от 1 до 12 труб)

Диаметр пластин

от 50 мм до 300 мм (150, 200, 300 мм)

Загрузка

- R&D: до 25–50 шт.
- Промышленная: 100–150+ шт. (300 мм – до 150 шт.)

Диапазон температур

200 -1350°C (опционально до 1500°C),
для LPCVD-процессов: поликремний
600–650°C, TEOS 625–725°C

Длина равномерной зоны (вертикальные)

960–1040 мм и более

Неравномерность температуры

≤ ±0,5°C по длине зоны (для всей зоны ≤ ±1,0°C)

Зоны нагрева

3 или 5 независимых зон

Рабочее давление

регулируемое пониженное (0,1–10 Торр, типовые процессы 0,1–2 Торр), что соответствует описанию «несколько
Торр или ниже» на отраслевом ресурсе.

Скорость осаждения

- Поликремний: 6–20 нм/мин.
- TEOS SiO₂: 10–25 нм/мин.
- PECVD (для сравнения): 25–350 нм/мин

Конформность (для аспектного отношения до 10:1)

- LPCVD поликремний: высокая
- LPCVD TEOS: очень высокая
(превосходит PECVD и APCVD),
что подтверждается информацией
о более конформном покрытии
по сравнению с LTO.
- ALD: превосходная

Типичные прекурсоры / процессы LPCVD

- Поликремний: SiH₄, Si₂H₆
- Нитрид кремния (Si₃N₄): SiH₂Cl₂ + NH₃, SiH₄ + NH₃
- Диоксид кремния: TEOS (тетраэтилортосиликат), SiH₄ + O₂
- Легированные стёкла: PSG (TEOS + PH₃ или TMPi), BSG (TEOS + TMB), BPSG
- Легирование in situ: бор, фосфор

Погрешность газовой системы

≤ ±1,0% (на базе MFC), до 8 газовых
линий + 2 жидкостных источника
(DCE, POCl₃, BBr₃, NH₃, N₂O, TEOS и др.)

Управление

ПЛК + HMI сенсорный экран,
распределённая система управления,
поддержка SECS/GEM, HSMS/GEM,
интерфейс с MES

Питание

380/400 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Энергопотребление

R&D от 20 кВт; промышленные 45–165 кВт

Охлаждение

водяное (8–60 л/мин)

Вытяжка

200–800 м³/ч

Сжатый воздух

4,8–7,6 бар

Опции

Конфигурация реакторов: от 1 до 12 труб, dual reactor с последовательной обработкой
в двух камерах без окисления

Газовая система: расширенная до 8 линий +2 жидкостных, включая коррозионностойкие
линии для TEOS, HCl, Cl₂

Тип нагрева: резистивный (стандарт), высокотемпературный MoSi₂до 1350°C

Система принудительного охлаждения (fast cooling / forced cooling)

N₂load lock для минимизации окисления при загрузке/выгрузке

Автоматизация (вертикальные системы): полностью автоматическая загрузка кассет (FOUP),
роботизированная передача пластин (single / five wafers), встроенный стокер на 16–20 кассет

Система плазменной очистки (in situ) перед процессом

Обработка тонких пластин / IGBT / SiC

Поликремниевая оснастка (снижение дефектности и циклов очистки на 40–60 %)

Импульсные режимы подачи газов (pulsed LPCVD) для повышения конформности и равномерности

Предиктивная аналитика и удалённый мониторинг с интеграцией в MES

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад