Главная / Оборудование / Установка шлифовки и полировки полупроводниковых пластин (утонение)

Установка шлифовки и полировки полупроводниковых пластин (утонение)

Оборудование предназначено для механического утонения (шлифовки и полировки) полупроводниковых пластин — уменьшения их толщины путём удаления материала с обратной стороны (backside grinding / backgrinding). Это критически важный этап в производстве полупроводников, особенно для 3D-интеграции, корпусирования (advanced packaging), силовой электроники и МЭМС, где требуются ультратонкие пластины.

Получить предложение

Процесс обычно включает последовательное выполнение операций:

Грубое шлифование (coarse grinding) — быстрое удаление материала с обратной стороны пластины.
Тонкое шлифование (fine grinding) — финишная механическая обработка для достижения заданной толщины и плоскостности.
Полировка (polishing / stress relief) — удаление повреждённого слоя, оставшегося после шлифовки, и снятие остаточных механических напряжений.

Современные установки могут быть полностью автоматическими (с роботизированной загрузкой/выгрузкой из кассет), полуавтоматическими (ручная загрузка, автоматический процесс) или ручными (для R&D). Ключевая задача — достичь минимальной толщины пластины (до 25–50 мкм и менее) с высокой точностью (повторяемость ±0,5 мкм) и минимальным уровнем повреждений.

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип системы

Полностью автоматическая / полуавтоматическая / ручная (R&D)

Диаметр пластин

50 - 300 мм

Исходная толщина пластин

До 1-2 мм

Конечная (минимальная) толщина

От 25 мкм до 100 мкм (зависит от материала)

Полный разброс по толщине (TTV)

≤ 1–3 мкм

Температурный контроль:

PID-регулирование с равномерностью ±1%

Повторяемость

±0,5 мкм

Шероховатость поверхности (Ra)

0,005-5 мкм ( Все этапы обработки )

Конфигурация шпинделей

От 1 до 3 осей (Z1 — грубая, Z2 — тонкая шлифовка, Z3 — полировка)

Мощность шпинделя

2–8,5 кВт

Скорость вращения шпинделя

1000–6000 об/мин

Скорость вращения рабочего стола

До 400 об/мин

Скорость подачи (ось Z)

0,1–80 мкм/с

Размер шлифовального диска

Ø200–305 мм

Размер рабочего стола (чак)

Ø200–350 мм

Количество столов

1–4

Метод шлифовки

1In-feed grinding (Осевая подача) с вращением пластины

Метод полировки

Dry polishing (без химикатов), CMP (опционально)

Загрузка

Ручная, полуавтоматическая или полностью автоматическая (роботизированная из кассет/FOUP)

Управление

ПЛК + HMI (цветной сенсорный дисплей), рецептурное управление

Питание

380 В, 50 Гц

Габариты (Ш×Г×В)

От 700×1890×1750 мм до 1690×3450×1800 мм

Масса

От 1200 кг до 6850 кг

Опции

Количество осей (шпинделей) — от 1 до 3 (Z1 — грубая шлифовка, Z2 — тонкая шлифовка, Z3 — полировка / снятие напряжений).

Тип полировки на оси Z3:

- Dry polishing —полировка без использования химикатов и воды
- CMP (химико-механическая полировка) — с использованием химикатов и воды
- Super fine grinding — сверхтонкое шлифование микроабразивами

Автоматическая правка (dressing) шлифовального круга — после замены круга

Система автоматического контроля усилия врезания (Force Monitoring) — предотвращает поломку пластины при врезании круга

Встроенная система очистки и сушки — промывка и сушка пластины непосредственно после полировки

Групповая обработка — возможность одновременного утонения нескольких пластин, закреплённых на временном носителе

Интеграция в кластерные системы — совместимость с автоматическими линиями

Работа с тонкими пластинами — специальные держатели для ультратонких подложек

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад