Главная / Оборудование / Установка лазерной литографии

Установка лазерной литографии

Установка прямой лазерной литографии предназначена для бесконтактного экспонирования фоторезистивных слоёв на подложках без использования физических фотошаблонов. Система использует технологию DMD-SLM (Digital Micromirror Device — Spatial Light Modulator) и полупроводниковый лазер, что позволяет формировать топологические рисунки с субмикронным разрешением. Оборудование поддерживает различные форматы данных (GDSII, BMP, DXF) и обеспечивает высокую точность совмещения, что делает его идеальным инструментом для прототипирования, производства фотошаблонов и мелкосерийного выпуска полупроводниковых приборов

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Система экспонирования

Тип источника излучения:

полупроводниковый лазерный диод (Laser Diode)

Длина волны:

405 нм (стандарт, возможны варианты 365 нм, 385 нм)

Мощность лазера:

до 10 Вт

Ресурс работы лазерного источника:

≥ 10 000 часов

Пространственный модулятор света:

DMD-SLM с разрешением 1920×1080 пикселей, размер пикселя 10,8 мкм

Объективы и разрешение

Доступные увеличения объективов:

10×, 20×, 50×

Минимальный критический размер (CD):

- 80 нм (при NA 0,8, объектив 50×)
- 150 нм (при NA 0,45, объектив 20×)
- 300 нм (при NA 0,3, объектив 10×)

Скорость экспонирования:

- 40 мм²/мин при 1 мкм (объектив 50×)
- 150 мм²/мин при 1 мкм (объектив 20×)
- 200 мм²/мин при 2 мкм (объектив 10×)

Координатный столик

Тип:

высокоточный 3-осевой (X, Y, Θ) столик с механическими подшипниками

Рабочее поле:

300×300 мм

Поле экспонирования:

280×280 мм

Разрешение перемещения (минимальное приращение):

3 нм

Точность позиционирования:

±0,75 мкм

Двунаправленная повторяемость:

±0,1 мкм

Диапазон поворота (Θ):

±7°

Вертикальное перемещение (Z):

ручная регулировка 20 мм, автофокус 400 мкм

Система автоматической фокусировки

Диапазон автофокуса:

100–400 мкм

Поддержка толщины подложек:

0–15 мм

Тип:

программно-аппаратная система с обратной связью

Система совмещения (Alignment)

Коаксиальное совмещение с жёлтым подсветом

Точность совмещения в локальной области (5×5 мм):

250 нм

Точность совмещения по всему полю (50×50 мм):

500 нм

Обрабатываемые подложки и материалы

Форматы подложек:

30×24 мм, 30×48 мм, 60×48 мм, а также диаметр до 200 мм

Материалы подложек:

кварц, сапфир, Al₂O₃, кремний, арсенид галлия

Форматы фотошаблонов (ретикл):

76×76 мм, 102×102 мм, 127×127 мм, 153×153 мм

Материалы ретикл:

кварц, натрий-кальциевое стекло

Крепление подложек:

вакуумный мультифункциональный держатель

Обрабатываемые подложки и материалы

Форматы подложек:

30×24 мм, 30×48 мм, 60×48 мм, а также диаметр до 200 мм

Материалы подложек:

кварц, сапфир, Al₂O₃, кремний, арсенид галлия

Форматы фотошаблонов (ретикл):

76×76 мм, 102×102 мм, 127×127 мм, 153×153 мм

Материалы ретикл:

кварц, натрий-кальциевое стекло

Крепление подложек:

вакуумный мультифункциональный держатель

Система управления и программное обеспечение

Управление:

ПК с процессором 3,5 ГГц (6 ядер), 32 ГБ ОЗУ, SSD 1 ТБ

Мониторы:

2 × 27" с разрешением 4096×2160

Поддерживаемые форматы данных: GDSII, BMP, DXF (включая модуль конвертации Klayout)

Режимы экспонирования: параллельное паттернирование, растровое сканирование

Обработка данных: мозаичная сборка больших BMP-изображений, тиражирование малых BMP

Протоколирование процесса: ведение логов, сохранение параметров экспозиции

Температурный контроль и фильтрация

Встроенный чиллер для стабилизации температуры камеры и охлаждения лазера

Мощность чиллера:

1,5 кВт

Система FFU (высокоэффективная фильтрация) для поддержания чистоты в рабочей зоне

Источник бесперебойного питания (UPS)

Мощность:

4 кВт / 4 кВА

Время работы:

2,5 мин при 100% нагрузке, 8 мин при 50% нагрузке

Тип батарей:

свинцово-кислотные, необслуживаемые

Конструкция и габариты

Основание:

гранитная/мраморная плита на пневматических опорах для виброизоляции

Габариты:

1500×1250×2050 мм (стандарт, может варьироваться)

Вес:

до 1750 кг

Материалы: химически стойкие покрытия, защита от воздействия реагентов

Условия эксплуатации

Требования к чистоте:

ISO Class 6–7 (Class 1000)

Освещение:

жёлтая зона (без УФ-компоненты)

Виброзащита:

уровень VC-C (≤ 50 мкм/с)

Электропитание:

220 В ±10%, 50 Гц ±2%, 16 А (опционально 208 В / 380 В)

Сжатый воздух:

0,3–0,5 МПа

Температура окружающей среды:

20–25 ± 1°C

Влажность:

40–50%

Опции

Лазер с волной 365 нм (i-line) или 385 нм для работы с другими типами фоторезистов

Объективы с увеличениями 15×, 5× или 100× для расширения диапазона разрешений

Увеличенное рабочее поле до 400×400 мм

Подложкодержатели для нестандартных размеров (до 300 мм пластины)

Автоматическая загрузка/выгрузка подложек (роботизированный интерфейс)

Расширенный модуль обработки данных для работы с большими файлами (до 200 ГБ)

Система контроля мощности лазера в реальном времени с обратной связью

Интерфейсы SECS/GEM, RS-485, EtherCAT для интеграции в автоматизированное производство

Дополнительный модуль измерения критических размеров (CD) на пластине

Функция экспонирования на изогнутых/неплоских поверхностях с адаптивным автофокусом

Усиленная система виброизоляции для работы на верхних этажах зданий

Комплект для работы в условиях чистых помещений класса ISO 3 и выше

Ключевое преимущество СЭМ:

Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад