Диффузионная печь горизонтального типа для процессов лигирования и оксидации
Термическое оборудование горизонтального типа для обработки полупроводниковых пластин в атмосфере реакционных газов при атмосферном или пониженном давлении. Используется для исследовательских работ и мелкосерийного производства.
- Исследовательские (R&D): до 25–50 шт. - Промышленные: 110+ шт. (для 150 мм и 200 мм)
Диапазон температур:
200–1350°C
Неравномерность температуры:
≤ ±0.5°C по длине зоны
Зоны нагрева:
3 или 5 зон
Кварцевые реакторы:
до 4 шт., совместимых с различными технологическими процессами
Погрешность газовой системы:
≤ ±1.0% (на базе MFC)
Управление:
ПЛК + HMI (промышленный ПК) с сенсорным экраном
Поддерживаемые процессы:
- Окисление: сухое, влажное, пирогенное, HiPOx - Легирование: из твердых, жидких и газообразных источников - Термические процессы: отжиг, сплавление, стабилизация
Питание:
380/400 В, 3 фазы, 50/60 Гц
Энергопотребление:
от 20 кВт
Охлаждение::
водяное (8–60 л/мин)
Вытяжка:
200–800 м³/ч
Сжатый воздух:
4,8–7,6 бар
Опции
Конфигурация реакторов: на выбор от 1 до 12-трубных систем
Газовая система: возможность подключения до 8 газовых линий и 2 жидкостных
Интеграция: совместимость с SECS/GEM, интерфейс для связи с MES
Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.
Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения
Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру
Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением
ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов