Главная / Оборудование / Установка отмывки фотошаблонов

Установка отмывки фотошаблонов

Оборудование предназначено для высокоэффективной очистки фотошаблонов (масок) и ретиклов — ключевых элементов фотолитографического процесса, используемых для переноса рисунка на полупроводниковые пластины. Даже мельчайшие частицы пыли, органические загрязнения или ионы металлов на поверхности фотошаблона приводят к появлению дефектов на всех пластинах, обработанных с его использованием, что критически снижает выход годных изделий.

Получить предложение

В отличие от установок для отмывки пластин, оборудование для фотошаблонов должно обеспечивать особо щадящий режим очистки, так как топология рисунка на маске чрезвычайно чувствительна к повреждениям.
Установки могут быть выполнены в однопластинном (single-wafer) или кассетном исполнении, с ручной или полностью автоматической загрузкой. Процесс обычно включает последовательность операций: химическая обработка → мегазвуковая очистка → промывка деионизованной водой → сушка.

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип системы

Однопластинная (single‑wafer) или кассетная (batch); ручная, полуавтоматическая или полностью автоматическая

Размеры фотошаблонов

От 4" до 9" (квадратные); от 100×100 мм до 230×230 мм и более

Диаметр круглых подложек

До 300 мм (12")

Размер партии (кассета)

До 20 фотошаблонов

Загрузка

Ручная (R&D) или автоматическая (кассетная, роботизированная)

Скорость вращения

До 3000–4000 об/мин (программируемый профиль)

Мегазвуковая обработка

Частота 1–10 МГц (пьезокерамические излучатели)

Методы очистки

Мегазвук, химическая, промывка DI-водой, сухая криогенная (опция)

Сушка

Центрифужная сушка + N₂, сушка с нагревом

Двусторонняя очистка

Да (последовательная обработка поверхностей)

Химические реагенты

SC‑1, SC‑2, SPM, H₂SO₄, H₂O₂, NH₄OH, органические растворители, Micro 90
Для EUV-масок используются специализированные сверхразбавленные химические составы

Управление

ПЛК + HMI (сенсорный экран), рецептурное управление, поддержка SECS/GEM

Класс чистоты

ISO Class 5 (Class 100) и выше

Питание / энергопотребление

200–480 В, 1 или 3 фазы; от 3,2 кВт (компактные)

Потребление DI-воды

Зависит от режима; подача под давлением до 8 бар

Потребление N₂ / CDA

N₂: для сушки и управления пневматикой (до 4 бар); CDA: 4,8–7,6 бар

Вытяжка

От 220 м³/ч и выше

Габариты (Ш×Д×В)

От 980×720×1760 мм до 1642×940×1190 мм

Масса

От 250 кг до >500 кг

Опции

Двусторонняя очистка — последовательная обработка обеих поверхностей фотошаблона в одной установке, с автоматическим переворотом

Мегазвуковая обработка — высокочастотная очистка (1–10 МГц) через специализированное сопло или излучатель для удаления субмикронных частиц без повреждения рисунка

Автоматическая кассетная загрузка — роботизированная передача фотошаблонов между кассетами и технологическими позициями

Поддержка различных типов фотошаблонов — DUV, EUV, NIL, маски для традиционной и импринтной литографии

Интеграция с MES — поддержка SECS/GEM, GEM300 для полной интеграции в Fab-wide системы управления

Безопасность — защита оператора в соответствии с SEMI S2/S8, работа с едкими веществами в герметичной камере

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад