Главная / Оборудование / Реактивно-ионное травление (RIE)

Реактивно-ионное травление (RIE)

Установка сухого плазменного травления (RIE) для анизотропного и изотропного травления диэлектриков, полупроводников и металлов

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Габариты обрабатываемых пластин и подложек:

диаметр до 300 мм (8")

Равномерность травления (по скорости):

< ±5%

Остаточное давление:

< 5×10⁻⁸ Торр

Рабочее давление:

10–1000 мТорр (настраиваемое)

Максимальная ВЧ-мощность на электроде подложки:

1000 Вт, 13.56 МГц

Диапазон скорости травления (в зависимости от материала):

от 10 до 300 нм/мин

Температура подложки:

охлаждаемый электрод с контролем от +5°C до +80°C

Встроенная система безопасности: блокировка двери камеры, защита от ВЧ-питания при открытой камере, датчики давления

Автоматическая система управления на базе ПЛК (сенсорный экран)

Документирование параметров процесса в реальном времени (давление, мощность, газовая смесь, температура, длительность)

Управление рецептами, многоуровневый доступ (оператор, технолог, инженер) с парольной защитой

Газовая линия: до 8 масс-расходомеров, подогреваемые линии газов

Датчик окончания травления – энд-детектор (спектрометр или лазерный интерферометр)

Опции

Набор турбомолекулярный + форвакуумный насос

Подогрев подложки до 300 °C

Возможность множественной загрузки: до 3 подложек за один процесс

Система загрузки через шлюз (load-lock)

Интерферометр для in-situ контроля глубины травления

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад