Главная / Оборудование / Низкоэнергетические имплантеры (Low Energy Implanter)

Низкоэнергетические имплантеры (Low Energy Implanter)

Семейство низкоэнергетических высокотоковых ионных имплантеров, построенных на концепции «универсальная платформа + модульные ключевые технологии». Оборудование сочетает оригинальную конструкцию, многолетний инженерный опыт и высокую эффективность транспортировки пучка. Серия охватывает весь спектр низкоэнергетических применений: от стандартных высокодозовых операций до специализированных процессов при криогенных (–100 °C) и высоких (до 250 °C) температурах, а также легирования для датчиков изображения (CIS). Отличается низкой авариностью, высокой надёжностью и превосходным контролем загрязнений и угла имплантации.

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Характеристики

Базовый низкоэнергетический высокотоковый имплантер

Энергетический диапазон:

0,2 – 60/80 кэВ (для однозарядных ионов)

Максимальный ток пучка:

до 35 мА (B⁺), до 25 мА (P⁺), до 18 мА (As⁺)

Типы ионов:

B, P, As, Sb, C, Si, Ge, N, O, Al, Ga, In, BF₂, PH₃, AsH₃

Диаметр пластин:

150 мм, 200 мм, 300 мм

Равномерность дозы:

< 0,75% (1 σ)

Воспроизводимость:

< 0,5%

Угловой контроль:

< ±0,1° (прецизионное управление каналовым эффектом)

Ускоритель: высокоэффективная электростатическая колонна с высокой пропускной способностью тока

Система сканирования: гибридная (магнитное сканирование пучка + механическое перемещение пластины)

Остаточное давление:

< 5×10⁻⁷ Торр (в камере обработки)

Температурный контроль подложки:

от 10 °C до 350 °C (базовая опция)

Уровень металлических загрязнений:

< 1×10¹⁰ атом/см² (для Na, K, Fe, Cu, Cr)

Уровень частиц (≥ 0,16 мкм):

< 10 добавленных частиц на пластину (300 мм)

Автоматизация: ПЛК + сенсорный HMI, полное логирование параметров, многоуровневый доступ

Безопасность: детекторы излучения, блокировки, аварийное отключение, SEMI S2/S8, CE

Криогенный низкоэнергетический высокотоковый имплантер

Построен на базе токовой системы (полная совместимость по пучку и управлению)

Ключевое отличие: охлаждение пластины до –100 °C (криогенная имплантация)

Назначение: подавление диффузии примеси, формирование сверхрезких профилей, снижение термического бюджета

Надёжность: низкая аварийность, высокое время безотказной работы (MTBF) за счёт отработанной платформы

Температурный диапазон:от –100 °C до +50 °C (регулируемый)

Применение: передовые логические узлы (7 нм и меньше), память, RF-приборы

Высокотоковый имплантер для датчиков изображения (CIS)

Построен на масс-валидированной универсальной платформе с оптической системой контроля

Ключевое отличие: исключительный контроль металлических загрязнений (< 5×10⁹ атом/см²) и прецизионное управление углом имплантации (< ±0,05°)

Назначение: легирование чувствительных слоёв КМОП-сенсоров, пиксельных матриц, фотодиодов

Особенности:

- Специальная конструкция источника и ускорителя для минимизации загрязнений
- Лазерный контроль углового положения пластины
- Низкий уровень частиц (< 5 добавленных частиц ≥ 0,16 мкм)

Применение: CIS (CMOS Image Sensors), 3D-сенсоры, ToF-камеры

Высокотемпературный низкоэнергетический высокотоковый имплантер

Построен на базе пучковой системы (полная совместимость по току и фокусировке)

Ключевое отличие: нагрев пластины до 250 °C в базовой конфигурации (опционально до 400 °C)

Назначение: динамическая имплантация с одновременным отжигом, восстановление кристаллической решётки in-situ, управление дефектами

Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 250 °C (стандартно), расширяемый до 400 °C

Применение: SiC, GaN, силовая электроника, процессы с высокой дозой, где критичен контроль радиационных повреждений

Применение: передовые логические процессы, автомобильная электроника, приборы с высокими токами утечки

Опции

Типы источников ионов: Bernas (высокий ток), Freeman (стабильность), RF (молекулярные и многозарядные ионы)

Вакуумные системы: турбомолекулярные + криогенные или диффузионные насосы

Автоматические загрузчики: FOUP, SMIF, открытые кассеты (25/50 пластин)

Интеграция с кластерными модулями (PVD, CVD, RTP)

Система быстрой смены исходных материалов (до 6 газовых/твёрдых источников)

In-situ мониторинг профиля легирования (оптический или SIMS-подобный)

Программное обеспечение для TCAD-моделирования и автоматической оптимизации рецептов

Дополнительные фильтры нейтральных частиц

Система калибровки угла с лазерным контролем

Расширенный энергетический диапазон (до 80 кэВ или 120 кэВ по запросу)

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад