Меню
Главная  /  Оборудование  /  Установка лазерной резки полупроводниковых пластин

Установка лазерной резки полупроводниковых пластин

Оборудование предназначено для финишного разделения полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы (чипы) на завершающем этапе производства микроэлектроники
Фотоника и опто­электроника
Органическая электроника
МЭМС
Кремниевая электроника
Силовая электроника
СВЧ

Общие характеристики

Лазер:
UV (355 нм), ИК (1064 – 1342 нм) (в зависимости от модели)
Мощность:
от 5 ВТ (пикосекундные) до 30 Вт (UV)
Точность позиционирования:
±0.078 мкм
Повторяемость:
±1 мкм
Максимальный ход по оси Х-Y:
340х340 мм
Максимальная скорость по оси Y:
до 1000 мм/с (в зависимости от модели)
Максимальная скорость по оси Х:
до 2000 мм/с (в зависимости от модели)
Размеры обрабатываемых пластин:
до 200 мм или до 300 мм

Опции

Автоматическая система подачи пластин (Loader/Unloader)
Система предварительного выравнивания (Pre-alignment)
Расширитель пленки (Expander)
Система компенсации топографии (Autofocus/Surface Tracking)
Инспекция в процессе резки (In-situ Monitoring)
Вакуумный/пористый стол
Термостол (с подогревом)
Ключевое преимущество СЭМ:
Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве
Позвоните нам +7 (495) 150 95 46
Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.