Главная / Оборудование / Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)

Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)

Высокопроизводительная установка плазменно-усиленного химического осаждения для выращивания диэлектрических, полупроводниковых и защитных плёнок с высокой скоростью осаждения и отличной равномерностью по площади подложки

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Размер обрабатываемых подложек:

до 300 мм (полупроводниковые пластины)

Равномерность толщины плёнки:

< 3% (по пластине)

Остаточное давление:

< 1 x 10⁻⁷ Торр (базовое)

Рабочий диапазон давлений:

от 5 до 1000 мТорр

Максимальная температура нагрева подложек:

500 ˚ C

Температурный контроль:

PID-регулирование с равномерностью ±1%

Мощность плазмы:

до 600 Вт с регулировкой

Количество газовых линий:

до 8 (включая прекурсоры, TEOS, инертные и реакционные газы)

Точность дозирования:

масс-расходомеры (MFC) с погрешностью < 1% от полной шкалы

Скорость осаждения:

от 10 до 200 нм/мин (в зависимости от материала и режима)

Система управления: полностью автоматизированная, сенсорный интерфейс, редактируемые рецепты, многопользовательский доступ

Документирование параметров: давление, температура, потоки газов, мощность плазмы, время процесса, история операций

Уровни доступа: оператор, технолог, инженер (защита паролем)

Безопасность: блокировка камеры при вакууме, детекторы утечек, автоматическое отключение ВЧ при разгерметизации, система аварийной вентиляции

Возможность последовательного осаждения нескольких слоёв без вскрытия вакуума

Мониторинг процесса в реальном времени (оптическая эмиссионная спектроскопия – опционально)

Количество пластин в одной загрузке:

до 3 пластин 100мм.

Опции

Шлюзовая загрузочная камера (load lock) с отдельной откачкой

Подогрев линий подачи газов и камеры до 200 ˚C для работы с низколетучими прекурсорами

Система in-situ мониторинга толщины плёнки (лазерный эллипсометр/оптико-эмиссионный спектрометр)

Кластерное исполнение (интеграция с другими процессами)

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад