Главная / Оборудование / Сканирующий/растровый электронный микроскоп (SEM/ РЭМ)

Сканирующий/растровый электронный микроскоп (SEM/ РЭМ)

Оборудование предназначено для высокоразрешающей визуализации, инспекции и метрологии полупроводниковых пластин, фотошаблонов, кристаллов и других микроструктур. В отличие от оптических микроскопов, СЭМ использует пучок электронов, что позволяет наблюдать структуры размером до нескольких долей нанометра.

Получить предложение

Принцип работы основан на сканировании поверхности образца сфокусированным электронным пучком. Взаимодействие электронов с образцом генерирует различные сигналы — вторичные электроны (SE) для изучения рельефа поверхности, обратно рассеянные электроны (BSE) для получения контраста по элементному составу, а также характеристическое рентгеновское излучение для элементного анализа. Современные СЭМ-системы оснащены автоматизированными предметными столиками, обеспечивающими наблюдение всей поверхности пластин диаметром до 300 мм, и интегрированы в производственные линии с поддержкой стандартов SEMI (SECS/GEM).

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Преимущества

Общие характеристики

Тип системы

Высоковакуумный СЭМ / низковакуумный СЭМ (LV-SEM) / Review SEM; полностью автоматическая / полуавтоматическая

Диаметр пластин

От 50 мм до 300 мм (2, 4, 6, 8, 12 дюймов)

Разрешение

0,4–7 нм (в зависимости от модели, ускоряющего напряжения и режима)

• SE (вторичные электроны)

1,3 нм @ 3 кВ; 1,5 нм @ 1 кВ

• BSE (обратно рассеянные)

1,9 нм @ 3 кВ; 2,3 нм @ 1 кВ

• STEM (просвечивающий)

0,9 нм @ 30 кВ

Увеличение

От 5× до 1 000 000×

Ускоряющее напряжение

100 В – 30 кВ

Ток пучка

От 0,1 пА до 100 нА (регулируемый)

Тип электронной пушки

Термоэмиссионная (вольфрам / LaB₆) или автоэмиссионная (Schottky / холодная полевая эмиссия)

Вакуум в колонне

- Высокий вакуум: 10^-⁴ – 10^-⁶ Па
- Низкий вакуум (переменное давление): 10 – 1000 Па

Тип объектива

Иммерсионный электромагнитный / полулинзовый

Система отклонения

Электростатическая / электромагнитная

Предметный столик

3–5 осей (X, Y, Z, наклон, поворот); автоматическое позиционирование

Перемещение столика (X/Y)

До 300 мм (для пластин 300 мм)

Диапазон наклона образца

0–55° и более

Размер поля обзора (FOV)

От 0,675 до 135 мкм

Детекторы

Детектор вторичных электронов (SE), детектор обратно рассеянных электронов (BSE), внутриколонный детектор, STEM-детектор (опционально)

Элементный анализ

Энергодисперсионный рентгеновский спектрометр (EDS / ЭДС) — опционально

Вакуумная система

Полностью автоматическая, безмасляная система откачки

Загрузка

Ручная (R&D) / полуавтоматическая / полностью автоматическая из FOUP или кассет с роботизированной передачей

Управление

Промышленный ПК, специализированное ПО, рецептурное управление, поддержка SECS/GEM

Класс чистоты

ISO Class 5–6

Питание

200–480 В, 50/60 Гц

Опции

Тип электронной пушки — термоэмиссионная (вольфрам / LaB₆) для экономичных решений; автоэмиссионная (Schottky / холодная полевая эмиссия) для максимального разрешения и стабильности тока

Режимы работы:

- Высокий вакуум (HV) — максимальное разрешение для проводящих образцов
- Низкий вакуум (LV) / переменное давление — для непроводящих образцов без напыления
- Режим торможения пучка (beam deceleration) — для наблюдения непроводящих образцов при низких ускоряющих напряжениях

Детекторы:

- Внутриколонный детектор — для эффективного сбора вторичных и обратно рассеянных электронов
- Детектор обратно рассеянных электронов (BSE) — для контраста по атомному номеру
- STEM-детектор — для просвечивающего режима
- Детектор катодолюминесценции (CL) — для анализа оптических свойств

Элементный анализ:

- EDS (энергодисперсионный рентгеновский спектрометр) — для качественного и количественного элементного состава
- EBSD (дифракция обратно рассеянных электронов) — для анализа кристаллической структуры и ориентации зёрен

Автоматизация:

- Автоматическая загрузка/выгрузка пластин из FOUP или кассет
- Автоматическая фокусировка, стигмация и коррекция астигматизма
- Автоматическое распознавание и позиционирование дефектов по координатам от системы AOI
- Рецептурное управление — автоматическое выполнение инспекций по заданным сценариям

Программное обеспечение:

- Автоматическое обнаружение, классификация и картирование дефектов
- 3D-реконструкция поверхности по наклонным изображениям
- Экспорт данных в форматах SEMI (SECS/GEM)
- Интеграция с MES и системами управления производством

Температурный контроль образца (опционально): Криогенный держатель — для наблюдения при температурах от -150 °C до +200 °C

Интеграция:

- Поддержка SECS/GEM, GEM300 для полной интеграции в Fab-wide системы управления
- Совместимость с автоматическими линиями и кластерными системами

Безопасность:

- Соответствие SEMI S2/S8
- Защита оператора от электронного и рентгеновского излучения
- Экранный кожух колонны для защиты от вибраций и шума

Преимущества

Ключевое преимущество СЭМ:

Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад