En Ru
Главная / Оборудование / Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
Полуавтоматическая установка для проявления фоторезистивных слоёв после экспонирования. Обеспечивает контролируемое нанесение проявителя, строгое соблюдение времени реакции и температурного режима, а также последовательную промывку и сушку подложек. Предназначена для использования в микроэлектронных производствах, R&D-лабораториях и опытных участках при работе с позитивными и негативными фоторезистами
Фотоника и оптоэлектроника
Органическая электроника
МЭМС
Кремниевая электроника
Силовая электроника
СВЧ
Общие характеристики
Размеры обрабатываемых подложек:
пластины диаметром до 300 мм
Типы обрабатываемых резистов:
позитивные, негативные, химически усиленные (CAR)
Методы проявления:
- Погружной (immersion) с программируемым покачиванием
- Спин-проявление (spray puddle) с регулируемой скоростью вращения
- Спин-проявление (spray puddle) с регулируемой скоростью вращения
Скорость вращения при спин-проявлении:
50 – 6 000 об/мин с точностью ±1 об/мин
Температурный контроль проявителя:
от +15°C до +40°C, точность ±0,2°C
Встроенные модули:
- Бак с проявителем (термостатируемый)
- Бак с промывочной жидкостью (DI-вода или стоп-раствор)
- Блок осушения сжатым азотом (N₂) с регулируемым давлением
- Бак с промывочной жидкостью (DI-вода или стоп-раствор)
- Блок осушения сжатым азотом (N₂) с регулируемым давлением
Количество ступеней программы:
до 50 шагов с сохранением до 40 рецептов
Автоматическая система подачи проявителя с точным дозирующим насосом
Встроенная вытяжная вентиляция с фильтрацией (химические фильтры / HEPA)
Интуитивный графический интерфейс с сенсорным экраном (7")
Многоуровневый доступ: оператор, технолог, инженер (защита паролем)
Протоколирование параметров процесса: время проявления, температура, скорость вращения, объём реагента, номер рецепта, дата/время
Встроенные системы безопасности:
- Блокировка крышки при вращении
- Аварийный стоп
- Датчик уровня жидкости в баках
- Контроль перекоса подложки
- Аварийный стоп
- Датчик уровня жидкости в баках
- Контроль перекоса подложки
Возможность интеграции с внешней системой управления (SECS/GEM, RS-485, Ethernet)
Конструкция из химически стойких материалов (PTFE, PVDF, кварцевое стекло, нержавеющая сталь 316L)
Опции
Дополнительный бак для промежуточной промывки (стоп-раствор / DI-вода)
Модуль нагрева и охлаждения проявителя (чиллер / нагреватель)
Система автоматической замены проявителя по времени или количеству пластин
Функция «пин-проявление» (puddle development) для улучшения равномерности
Подложкодержатели под нестандартные размеры (квадратные, прямоугольные, сегменты)
Кассетная загрузка на 25 пластин (для 4", 6", 8")
Дополнительные фильтры для очистки проявителя от частиц
Программируемая автоматическая промывка магистралей после каждого цикла
Ключевое преимущество СЭМ:
Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве
Позвоните нам +7 (495) 150 95 46
Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме
и дополнительную информацию в этой форме
Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.
▸ Магнетронное напыление (SputterPVD)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Полуавтоматическая установка нанесения фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Установка индивидуальной отмывки и сушки пластин
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка дисковой резки полупроводниковых пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Сканирующий/растровый электронный микроскоп (SEM/ РЭМ)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Магнетронное напыление (SputterPVD)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Электронно-лучевое напыление (E-beam PVD)
▸ Термическое напыление (Thermal PVD)
▸ Атомно-слоевое осаждение термическое (ThermalALD)
▸ Атомно-слоевое осаждение ассистированное плазмой (PEALD)
▸ Плазмохимическое осаждение (PECVD, HDPCVD)
▸ Реактивно-ионное травление с индуктивно-связанной плазмой (ICP RIE)
▸ Реактивно-ионное травление (RIE)
▸ Удаление (травление) и зачистка фоторезиста в микроволновой кислородной плазме (Ashing, Descam)
▸ Кластерная система вакуумно-плазменной обработки (Cluster System)
▸ Полуавтоматическая установка нанесения фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Полуавтоматическая установка проявления фоторезиста
▸ Полуавтоматическая установка спреевого нанесения фоторезиста
▸ Автоматическая установка нанесения и проявления фоторезиста (трек-системы) для норм 90нм и выше
▸ Автоматическая установка взрывной литографии (Lift-Off)
▸ Установка лазерной литографии
▸ Установка совмещения и экспонирования (контактная литография)
▸ Установка проекционной литографии для топологических норм 90нм и выше (восстановленные степперы/сканеры)
▸ Установка электронно-лучевой литографии (EBL)
▸ Установка индивидуальной отмывки и сушки пластин
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка групповой отмывки и сушки пластин
▸ Установка индивидуальной жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка групповой жидкостной химической обработки пластин
▸ Установка жидкостной обработки (отмывки) оснастки
▸ Установка электрохимического осаждения (гальваника)
▸ Установка отмывки фотошаблонов
▸ Установка дисковой резки полупроводниковых пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Установка лазерной резки полупроводниковых пластин
▸ Установка растяжки плёночного носителя
▸ Установка отмывки после резки
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (клин-клин)
▸ Полуавтоматическая и ручная разварка выводов (шарик-клин)
▸ Установка шовно-роликовой герметизации
▸ Установка герметизации микросхем в пластик
▸ Установка монтажа пластин на ленту спутник
▸ Установка полуавтоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки выводов методом Шарик-Клин
▸ Установка автоматической УЗ-микросварки клин-клин
▸ Установка автоматического монтажа кристаллов на выводные рамки
▸ Установка УФ-отверждения
▸ Установка упаковки в блистерную ленту
▸ Печь для отверждения клея
▸ Установка скрайбирования и докола пластин
▸ Сканирующий/растровый электронный микроскоп (SEM/ РЭМ)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)
▸ Сканирующий электронный микроскоп для автоматического измерения критических размеров (CD-SEM, восстановленный)
▸ Сканирующий электронный микроскоп с ионным сфокусированным пучком (FIB-SEM)
▸ Ручной оптический микроскоп
▸ Автоматический оптический микроскоп
▸ Автоматическая оптическая инспекция (АОИ)
▸ Ультразвуковой микроскоп (неразрушающий контроль)
▸ Установки рентгенографического контроля качества монтажа полупроводниковых компонентов (неразрушающий контроль)