Главная / Оборудование / Среднеэнергетические имплантеры (Medium Current / Medium Energy)

Среднеэнергетические имплантеры (Medium Current / Medium Energy)

Высокопроизводительная промышленная установка для имплантации ионов со средней энергией (до 360 кэВ для однозарядных ионов) и рекордными токами пучка. Оборудование оснащено DC-электростатическим ускорителем и системой горизонтального токового сканирования, что обеспечивает выдающуюся производительность (высокую производительность пластин в час) при исключительном контроле металлических и частичных загрязнений. Оптимальное решение для высокодозовых операций легирования в производстве логических микросхем, памяти, силовой электроники и датчиков изображения (CIS)

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Энергетический диапазон (однозарядные ионы):

от 5 кэВ до 360 кэВ (с возможностью расширения до 400 кэВ по запросу)

Работа с многозарядными ионами:

до 720 кэВ (для двухзарядных)

Типы имплантируемых ионов:

B, P, As, Sb, C, Si, Ge, N, O, Al, Ga, In, а также молекулярные ионы (BF₂, PH₃, AsH₃, CH₄)

Максимальный ток пучка (лидерство в отрасли):

- B⁺ (до 360 кэВ): до 30–35 мА
- P⁺ (до 360 кэВ): до 20–25 мА
- As⁺ (до 360 кэВ): до 15–18 мА

Диаметр обрабатываемых пластин:

150 мм, 200 мм, 300 мм (переключение конфигурации за < 1 часа)

Равномерность дозы по пластине:

< 0,75% (1 σ)

Воспроизводимость дозы от пластины к пластине:

< 0,5%

Угловое распределение пучка на пластине:

< ±0,15° (для точного контроля каналового эффекта)

Тип ускорителя: DC-электростатический (высоковольтный генератор с прецизионной стабилизацией)

Система сканирования: горизонтальное токовое сканирование (магнитное отклонение пучка по горизонтали + механическое перемещение пластины по вертикали)

Остаточное давление:

- В камере имплантации: < 1×10⁻⁶ Торр
- В ускорительной трубке: < 5×10⁻⁷ Торр

Температурный контроль подложки:

от 10 °C до 350 °C (опционально криоохлаждение до –30 °C для чувствительных структур)

Наклон пластины:

от –10° до +45° (с шагом 0,1°) + поворот 360°

Система дозиметрии: закрытый Фарадеевский коллектор с обратной связью + профилометр пучка в реальном времени

Уровень металлических загрязнений:

< 1×10¹⁰ атом/см² (для Na, K, Fe, Cu, Cr) – за счёт специализированной конструкции источника и ускорителя

Уровень частиц (≥ 0,16 мкм):

< 10 добавленных частиц на пластину (при 300 мм) – благодаря горизонтальному сканированию и оптимизированной газодинамике

Автоматизированная система управления: ПЛК с сенсорным HMI, полное логирование (энергия, доза, ток пучка, давление, температура, профиль сканирования)

Многоуровневый доступ: оператор, технолог, сервисный инженер, администратор с аудитом и защитой паролем

Безопасность: встроенные детекторы рентгеновского излучения, межблочные блокировки, аварийное отключение высокого напряжения, система пожаротушения

Соответствие стандартам:

SEMI S2/S8, CE, UL, RoHS

Опции

Расширение энергии: дополнительный ускорительный модуль до 500 кэВ

Типы источников ионов на выбор:

- Bernas – для максимальной производительности по току
- Freeman – для лёгких ионов и высокой стабильности
- RF-источник – для молекулярных и многозарядных ионов

Система вакуумирования:

- Турбомолекулярные насосы + криогенная ловушка (основная опция для UHV-качества)
- Диффузионные насосы (экономичный вариант для высоких токов)

Охлаждение подложки: жидкостное (чиллер) с программируемым профилем температуры

Нагрев подложки до 600 °C (для in-situ динамического отжига)

Автоматический загрузчик пластин: на 25 или 50 пластин (поддержка FOUP, SMIF, открытые кассеты)

Двойная загрузочная станция (для непрерывной работы с сокращением простоев)

Система быстрой смены исходных материалов (до 6 газовых/твёрдых источников)

In-situ мониторинг профиля легирования (оптический или четырёхзондовый измеритель)

Интеграция с кластерным модулем (подключение к PVD, CVD, RTP через вакуумный транспорт)

Программный пакет для автоматической оптимизации дозы и энергетического профиля под заданную структуру

Дополнительные фильтры нейтральных частиц для снижения загрязнений

Система калибровки углового положения пластины с лазерным контролем

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

Гибкий подбор размеров вакуумной камеры зависящий от размера подложки и области применения

Полно диапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру

Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением

ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов

Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней

Регулируемая высота магнетронов, (расстояние между мишенью и подложкой)

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад