Главная / Оборудование / Установка электронно-лучевой литографии (EBL)

Установка электронно-лучевой литографии (EBL)

Высокопрецизионная установка прямой записи (direct-write) или экспонирования через шаблон с использованием сфокусированного электронного пучка. Предназначена для создания нанометровых структур без использования фотошаблонов. Идеальна для R&D, прототипирования, создания мастер-шаблонов для наноимпринта и производства сложных фотонных, квантовых и СВЧ-устройств

Получить предложение

Фотоника и оптоэлектроника

Органическая электроника

МЭМС

Кремниевая электроника

Силовая электроника

СВЧ

Характеристики

Опции

Общие характеристики

Тип электронной пушки:

термически-эмиссионная (LaB₆) или автоэмиссионная (Schottky-FEG, Cold-FEG)

Ускоряющее напряжение:

1–100 кВ (стандартно 30 кВ, 50 кВ, 100 кВ – опционально)

Минимальный размер пучка (beam diameter):

< 2 нм (при 100 кВ в режиме высокой разрешающей способности)

Разрешение литографии (на резисте):

до 5–10 нм (в зависимости от толщины резиста и дозы)

Поле записи (write field):

- Стандарт: 500 × 500 мкм – 2 × 2 мм
- С опцией подвижного стола: до 200 × 200 мм (для пластин и фрагментов)

Размер обрабатываемых подложек:

фрагменты от 5×5 мм, пластины диаметром до 200 мм (8") – опционально 300 мм

Рабочий ток пучка:

от 1 пА до 100 нА (с возможностью быстрого переключения для разных доз)

Частота обновления цифро-аналоговых преобразователей (DAC):

до 50 МГц (для управления позиционированием и дозой)

Система позиционирования:

лазерный интерферометр с разрешением < 1 нм + пьезосканер (для суб-нанометровой коррекции)

Точность совмещения (registration):

< 10 нм (с использованием эталонных маркеров)

Дрейф пучка:

< 5 нм/час (при стабилизированной температуре)

Вакуум в камере:

< 10⁻⁷ Торр (в области пушки – < 10⁻¹⁰ Торр)

Система коррекции дозы: автоматическая компенсация эффекта близости (Proximity Effect Correction – PEC) с учётом рассеяния в подложке

Рисование: растровое (raster), векторное (vector-scan) и гибридное (с изменяемым размером шага)

Автоматическая калибровка: по эталонному тест-объекту, коррекция астигматизма, фокуса и центрировки пучка

Управление: специализированное ПО с графическим интерфейсом для создания паттернов (GDSII, OASIS, DXF → формат пучка)

Документирование: полный журнал доз, координат, времени экспозиции, дрейфа, давления в камере; экспорт в SPC-отчёты

Многоуровневый доступ: оператор, исследователь, администратор, сервис-инженер – с логин-паролем и цифровой подписью

Безопасность: блокировка высокого напряжения при открытии дверей, автоматическое отключение пучка при сбоях, встроенная защита от рентгеновского излучения

Система охлаждения: водяное охлаждение пушки, объективных линз, стола и корпуса (стабильность температуры ±0,1 °C)

Антивибрационная платформа: пассивные или активные пневмоопоры (опционально)

Возможность оснащения детекторами: SEM-режим (для наблюдения), BSE, SE, EDS (по требованию)

Опции

Тип эмиттера:

- LaB₆ – экономичный, для задач ≥ 20 нм
- Schottky-FEG – для ≤ 10 нм с высокой стабильностью тока
- Cold-FEG – для сверхвысокого разрешения (< 5 нм)

Выбор максимального ускоряющего напряжения: 30 кВ, 50 кВ, 100 кВ

Размер поля записи: расширение до 5×5 мм или 10×10 мм (с заменой электромагнитной оптики)

Автоматический загрузчик подложек (load-lock) – до 10 пластин или фрагментов за цикл

Многолучевая опция (multi-beam) – до 5 или 10 параллельных пучков для повышения производительности (до 5 раз)

Система подогрева/охлаждения подложки (от –50 °C до +200 °C) для работы с термочувствительными резистами

Интеграция с наноимпринтным модулем для переноса рисунка на большие площади

Встроенный масс-спектрометр (RGA) для контроля остаточных газов

Гибкая система внешней синхронизации (TTL, оптоволокно) для совмещения с другими измерительными установками

Пакет ПО для автоматического обнаружения маркеров и адаптивного совмещения (pattern recognition)

Удалённое управление через защищённое сетевое соединение с логированием действий

Система автоматической смены апертур (от 10 до 1000 мкм) без вскрытия вакуума

Возможность установки в чистую комнату с прокладкой коммуникаций (N₂, охлаждающая вода, электропитание 380 В)

Ключевое преимущество СЭМ:

Нанометрическое разрешение в сочетании с большой глубиной резкости, позволяющей получать трёхмерные изображения микроструктур. Это критически важно для контроля качества, анализа отказов и обеспечения выхода годных изделий в современном полупроводниковом производстве

Позвоните нам +7 (495) 150 95 46

Или оставьте запрос на коммерческое предложение
и дополнительную информацию в этой форме

Поля, обязательные к заполнению, помечены (*).
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности.

Назад